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RECTIFICACION CONTROLADA Y DISPOSITIVOS DE POTENCIA
Manuel Michelangelli
Alexis Ramírez
e-mail: manuelj_mt@hotmail.com
e-mail: mancha-69@hotmail.com

RESUMEN: Los rectificadores estudiados en etapas anteriores se conocen como rectificadores no controlados, en este tema se estudiaran las formas de control de una salida de un rectificador mediante el uso de dispositivos de control depotencia de acuerdo a los requerimientos y las condiciones del circuito eléctricos. Muchos de los dispositivos entraran en conducción por señales externas y/o por señales del mismo generador hablando en términos de potencia monofásica y trifásica. Estas señales externas aplicadas se denominan disparo y varían de acuerdo al dispositivo a utilizar, cabe destacar que los dispositivos de potencia posencaracterísticas significativas de tensión y de corriente así como también pertenecen a una familia de dispositivos de conmutación es decir el control de bloqueo y conducción de los mismos desde una señal externa, estos dispositivos soportan la mayor cantidad de tensión inversa es por ello que tienen mayor capacidad para controlar circuitos de potencia.

PALABRAS CLAVE: circuitos de potencia, diodosrectificadores, electrónica, semiconductores

INTRODUCCIÓN

Los dispositivos electrónicos semicontrolados se encuentran, dentro de la familia de los Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of Alternating Current”). En éste caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales deldispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de la puesta en conducción, pero no así del bloqueo del dispositivo. así como también existen los dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores bipolares BJT (“Bipolar Junction Transistor”), lostransistores de efecto de campo MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”), los transistores bipolares de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y los tiristores GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.

DISPOSITIVOS DE RECTIFICACION CONTROLADA

El  SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivosemiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn (Figura 2). Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

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Figura 1. SCR

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Figura2. SCR

El SCR es uno de los dispositivos más antiguos que se conocen dentro de la Electrónica de Potencia (data de finales de los años 50). Además, continua siendo el dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que permite soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor circulación de corriente). Tanto los SCR como los TRIAC han sidousados para reemplazar los dispositivos mecánicos de conmutación. Eliminan problemas, como el rebote de contacto, la formación de arcos y poseen la ventaja adicional de alta eficiencia y alta velocidad.

El SCR tenía la capacidad de controlar la potencia entregada a la carga pero no había salida en el semiciclo negativo. Esto es satisfactorio para ciertas aplicaciones de corriente continua,porque la corriente fluye a través de la carga en un solo sentido.
El TRIAC (Triode for Alternative Current) es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de...
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