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Optoelectrónica

Fotodiodos. Principio de funcionamiento

© ITES-Paraninfo

Longitud de onda de corte
Semiconductor Energía de la banda prohibida, Eh(eV) 1,12 0,66 1,35 0,89 0,75 Longitudde onda de corte, λh(nm) 1100 1870 910 1400 1650

Si Ge InP InGaAsP InGaAs

1240 λ h (nm ) = E h (eV )
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Profundidad de penetración

I ( x ) = I 0 ⋅ e −αx
© ITES-Paraninfoδ=

1 α

Capacidad de transición

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Tipos

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Modelo

 ηvd  id = I s  e kT − 1    
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Curvas características

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Modelo simplificado para zona directa

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Modelo simplificado para zona inversa

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Características

Superficie activa Sensibilidad y Respuestaespectral Capacidad Tiempo de subida Corriente de oscuridad Ruido

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Respuesta espectral

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Respuesta espectral de distintos fotodiodos y LEDs

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Tiempo de subida

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Acondicionamiento

 ηic Rs  i R ic = i f − I s  e kT − 1 − c s − ic Rs jwC   Rp  
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ic ≈ i f

Acondicionamiento.Estrategias

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Acondicionamiento. Convertidor I-V

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Convertidor I-V

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Inestabilidad debida a la capacidad del fotodiodo

© ITES-Paraninfo Compensación

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Redes en T

   R2   + R2 i f vo = −  R1  1 +  R3     
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Fototransistores. Principio de funcionamiento

ic = βT i fp
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Curvas características

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Acondicionamiento básico

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Aplicaciones de fotodiodos y fototransistores. Diagrama de bloques

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Detectores de proximidad

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Codificadores ópticos

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Codificadores ópticos incrementales

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Detección del sentido de giro

©...
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