Informe

Páginas: 8 (1911 palabras) Publicado: 22 de marzo de 2012
PRÁCTICA N°1
APLICACIÓN DE FUENTE DE CORRIENTE
(POLARIZACIÓN; CARGA ACTIVA)


Integrantes:
Carlos Andrés Cuy Hoyos 20091005100
Ronald Alexander Prieto 20091005080




Profesor:
José Hugo Castellanos




Electrónica II

Grupo 2


Facultad de Ingeniería
Proyecto Curricular de Ingeniería Electrónica

Bogotá D.C
2010

MARCO TEÓRICO

2.1 POLARIZACIÓN DEL TRANSISTORPolarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o en corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.

El transistor bipolar se emplea en numerosas aplicaciones, y en infinidadde circuitos diferentes. Cada uno de ellos lo polariza de forma determinada.
2.1.1 POLARIZACIÓN POR DIVISIÓN DE TENSIÓN.
Este tipo de polarización es la más ampliamente utilizada en circuitos lineales, por este motivo algunas veces se le conoce como polarización universal. Las resistencias R1 y R2 forman un divisor de tensión del voltaje Vcc.La función de esta red es facilitar la polarizaciónnecesaria para que la unión base-emisor este en la región apropiada.
Este tipo de polarización proporciona mayor estabilidad del punto de operación con respecto de cambios en β.

Análisis en la malla de base:
En la terminal de base existen dos mallas por lo que se empleara el teorema de Thévenin para simplificar a una sola malla, como se ve en la siguiente figura:

Donde R_B= R_1〖//R〗_2
V_BB=R_1/(R_1+R_2 ) V_CC
Al aplicar LVK en la malla de base:
V_BB=R_B i_B+V_BE+R_E i_E
i_B=i_E/(β+1)
V_BB=i_E (R_B/(β+1)+R_E )+V_BE
i_E=(V_(BB )-V_BE)/(R_B/(β+1)+R_E )
Como i_C≈i_(E ) y β≫1 entonces:
i_C=(V_(BB )-V_BE)/(R_B/β+R_E )
A temperatura ambiente i_C depende únicamente de β. Si queremos que i_C sea casi independiente de β es necesario que
R_B/β≪R_E
Para que
i_C≈(V_(BB)-V_BE)/R_E
Por ejemplo si (100) R_B/β=R_E, o lo que es lo mismo R_B=1/100 βR_E resulta que i_C=(V_(BB )-V_BE)/((1.01)R_E ) lo cual se aproxima a la corriente deseada i_C=(V_(BB )-V_BE)/R_E
El precio que se paga por tener esta estabilidad es tener valores de R_B demasiados bajos ya que R_B=1/100 βR_E . Valores bajos de R_B son inconvenientes cuando el circuito de polarizaciónforma parte de mi amplificador.
Por el momento bastara con que R_B=1/10 βR_E haciendo con esto que la corriente de colector sea i_C=(V_(BB )-V_BE)/((1.1)R_E )
Esto asegura que el transistor queda bien polarizado, con una corriente de emisor constante y que el punto de operación no cambiara de manera significativa si se sustituye el transistor por otro con una β distinta.
2.1.2 ESPEJO DECORRIENTE
Un circuito de espejo de corriente proporciona una corriente constante y se utiliza principalmente en circuitos integrados. La corriente constante se obtiene a partir de una corriente de salida que es el reflejo o espejo de una corriente constante que se desarrolló en un lado del circuito. El circuito es en particular adecuado para la fabricación de circuitos integrados, debido a querequiere que los transistores utilizados tengan idénticas caídas de voltaje base-emisor e idénticos valores de beta.
La corriente I_x del transistor Q_1 y el resistor R_x se refleja en la corriente I a través del transistor Q_2
Las corrientes I_x e I pueden obtenerse utilizando las corrientes de circuito listadas en la figura

Suponemos que la corriente de emisor (I_E) para ambos es la misma〖(Q〗_1 Q_2,siendo fabricados uno junto a otro en el mismo microcircuito). Las dos corrientes de base del transistor son aproximadamente
I_B=I_E/(β+1)≈I_E/β
La corriente de colector de cada transistor es entonces
I_C=I_E
Por último, la corriente a través del resistor R_x,I_x es
I_X=I_E+(2I_E)/β= 〖βI〗_E/β+(2I_E)/β=(β+2)/β I_E ≈I_E
Resumiendo, la corriente constante proporcionada en el...
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