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Páginas: 2 (299 palabras)
Publicado: 26 de mayo de 2012
EFECTO HALL
Efecto Hall es la medición del voltaje transversal en un conductor cuando es puesto en un campo magnético. Mediante esta medición es posible determinar el tipo,concentración y movilidad de portadores en silicio.
penetra en un conductor hasta una profundidad del orden del espesor pelicular. El Efecto Hall permite la penetración de un campo magnético rotantey la generación de corriente.
Este método está siendo utilizado para producir corriente necesaria en experimentos de fusión nuclear por confinamiento magnético.
El científico alemánKlaus von Klitzing obtuvo, en 1985, el Premio Nobel de Física por el descubrimiento del efecto Hall cuántico.
Introducción Teórica al efecto Hall
El efecto Hall consiste en que en un metalo semiconductor con corriente, situado en un campo magnético perpendicular al vector densidad de corriente, surge un campo eléctrico transversal y un diferencia de potencial.
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Lacausa del efecto Hall es la desviación que experimentan los electrones que se mueven en el campo magnético bajo la acción de la fuerza de Lorentz.
Las siguientes figuras muestran lasdirecciones del campo magnético B, de la densidad de corriente J, la fuerza de Lorentz F, la velocidad de las cargas V (según sean estas positivas o negativas), así como los signos de lascargas concentradas en las caras opuestas superior e inferior para cada tipo de carga (negativa y positiva).
La figura 1a) es válida para metales y semiconductores tipo n; parasemiconductores tipo p, los signos de las cargas que se concentran en las superficies son opuestos (figura 1b).
Las cargas siguen siendo desviadas por el campo magnético hasta que la acción de lafuerza en el campo eléctrico transversal equilibre la fuerza de Lorentz.
La diferencia de potencial debida al efecto Hall es, pues, en el equilibrio:
Pinza para medir efecto Hall |
Efecto Hall es la medición del voltaje transversal en un conductor cuando es puesto en un campo magnético. Mediante esta medición es posible determinar el tipo,concentración y movilidad de portadores en silicio.
penetra en un conductor hasta una profundidad del orden del espesor pelicular. El Efecto Hall permite la penetración de un campo magnético rotantey la generación de corriente.
Este método está siendo utilizado para producir corriente necesaria en experimentos de fusión nuclear por confinamiento magnético.
El científico alemánKlaus von Klitzing obtuvo, en 1985, el Premio Nobel de Física por el descubrimiento del efecto Hall cuántico.
Introducción Teórica al efecto Hall
El efecto Hall consiste en que en un metalo semiconductor con corriente, situado en un campo magnético perpendicular al vector densidad de corriente, surge un campo eléctrico transversal y un diferencia de potencial.
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Lacausa del efecto Hall es la desviación que experimentan los electrones que se mueven en el campo magnético bajo la acción de la fuerza de Lorentz.
Las siguientes figuras muestran lasdirecciones del campo magnético B, de la densidad de corriente J, la fuerza de Lorentz F, la velocidad de las cargas V (según sean estas positivas o negativas), así como los signos de lascargas concentradas en las caras opuestas superior e inferior para cada tipo de carga (negativa y positiva).
La figura 1a) es válida para metales y semiconductores tipo n; parasemiconductores tipo p, los signos de las cargas que se concentran en las superficies son opuestos (figura 1b).
Las cargas siguen siendo desviadas por el campo magnético hasta que la acción de lafuerza en el campo eléctrico transversal equilibre la fuerza de Lorentz.
La diferencia de potencial debida al efecto Hall es, pues, en el equilibrio:
Pinza para medir efecto Hall |
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