Introducción a la electrónica de potencia

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Introducción a la electrónica de potencia

Ensayo

La electrónica de potencia combinó la electrónica, la energía y el control para revolucionar la conversión de potencia y el control motoreseléctricos, basándose en la conmutación de dispositivos semiconductores de potencia para desarrollo de tecnología moderna y creación de productos con amplia diversidad en la actualidad; no se visualizanlímites en las aplicaciones de la electrónica de potencia, muestra grandes tendencias de crecimiento y desarrollo en microprocesadores y dispositivos de potencia. El rectificador de arco de mercurioinicia en 1900 la extensión de la electrónica de potencia, años después en 1948 la electrónica evoluciona con la aparición del transistor de silicio originador de muchas invenciones de la actualidad ydesarrollo de la microelectrónica moderna. El transistor disparo PNPN nace en 1956 definiéndose como un "tiristor o rectificador controlado de silicio", éste revoluciona la electrónica en 1958 con sucomercialización y en 1970 se inicia el desarrollo de varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia disponibles en forma comercial, los podemos dividir en cinco tipos principales que seidentifican como: diodos de potencia; que pueden ser de uso general, de alta velocidad o de recuperación rápida. Los transistores bipolares de juntura de potencia(BJT); comunes en los convertidores deenergía a frecuencias menores de 10KHz, tiene tres terminales (base, colector, emisor) y generalmente, opera en forma de interruptor, por emisor común. Los MOSFET de potencia; son de distintos tamaños yse utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad. Los transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT); se describen como "transistores de potencia controlados por voltaje", más rápidos quelos BJT pero menos que los MOSFET. Los transistores de inducción estáticos (SIT); Es como la versión del tubo de vacio tríodo en estado sólido, se define como un dispositivo de alta frecuencia y...
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