Jfet

1.2 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
1.2.1 INTRODUCCION.
El transistor de efecto de campo pertenece al grupo de los transistores especiales, y es especialmente adecuado para utilizarlo en circuitosintegrados, Se fabrica en dos tipos, el de efecto de campo de unión (JFET) y el de efecto de campo metal-oxido-semiconductor (MOSFET).
El transistor de efecto de campo (FET) del inglés Field EfectTransistor, pertenece al grupo de los transistores unipolares, los cuales consisten en una unión pn. El FET a diferencia del transistor bipolar, sólo presenta un tipo de conducción eléctrica, (o porelectrones o por huecos).
El transistor de efecto de campo está construido con un cristal semiconductor del tipo N o del tipo P, cuyos extremos realizan la función del electrodo fuente (S) y electrododrenador (D) respectivamente, y a la mitad del cristal se encuentra un electrodo llamado compuerta (G), el cual está unido a un cristal de signo opuesto, formando entre ambos una unión pn.
Como laconstrucción del transistor es a base de la unión de cristales, el transistor recibe el nombre de transistor de efecto de campo juntura (jfet).
La estructura física del JFET para los tipos detransistores se muestra en la figura 1.2.1, donde se ve que existen dos compuertas. Cuando las compuertas van unidas internamente, y tienen una sola conexión interna del transistor recibe el nombre de FET decompuerta única y cuando las compuertas tiene conexión externa el transistor recibe el nombre de FET de doble compuerta.

Fig 1.2.1 Estructura física del JFET
a) Canal tipo N
b) Canal tipo P1.2.2 FUNCIONAMIENTO
Al aplicar una yensión entre la fuente y el drenaje circulará una corriente por el canal. Sin embargo, si se aplica otra tensión a la compuerta, en forma tal que se polariceinversamente la unión pn, el campo eléctrico que crea la compuerta modifica la densidad de la capa empobrecida de tal manera que se producirá un estrechamiento del canal, aumentando la resistencia...