Las ondas y el sonido

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Republica Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular para la Educacion
Viceministerio de Educacion SuperiorAcademia Tecnica Militar
Nucleo – Aeronautico


Facilitador:Participante:
Ing. José Castillo C/III Jiménez YoelC/III García Oscar3¨ Año Armamento Aeronáutico

Boca de Rio, 17/11/2010
Transistor de efecto campo
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET,en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse comoresistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductoracomo la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que laprincipal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).
| P-canal |
| N-canal |
| |
| |
Símbolos:Esquemáticos para los JFETs canal-n y canal-p. G=Puerta (Gate),D=Drenador (Drain) y S=Fuente (Source). |
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET...
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