Libro ing. ambiental capitulo 1
Hexagonal compacta HCP Mg, Zn,
8 átomos envértices + 8 átomos en vértices + 8 12 átomos en vértices uno en centro en cada una de las caras + 2 en caras+ 3 centro
8 8/8 + 1 = 2 a√3=4R
12 8/8 + 6/2 = 4 a√2=4R
3
12 12/6 + 2/2 + 3 = 6
4R a= 3
3
4R a= 2
3
3
2 * (4 / 3)πR 3 4 * (4 / 3)πR 3 FEA = a3 a3
Índice de coordinación: número de átomos más próximos Átomos por celda: nº átomos porvértice/nº celdas comparten mismo vértice + nº átomos caras/2 + nº átomos centro
FEA: Factor de empaquetamiento atómico = átomos (cada átomo V = 4/3 πR3) UNIDADES 1 A = 10-8 cm 1 nm = 10-9 m
Vat ; Vat:volumen que ocupan los Vcelda
nº avogadro = 6,02 1023átomos/mol
2. DEFECTOS EN LA ESTRUCTURA CRISTALINA 2.1. Defectos atómicos puntuales: debido a la inclusión de átomos intersticiales(interesticio=hueco, son átomos que se colocan en los huecos de la red), o bien a lugares vacantes en puntos de la red o bien a la existencia de átomos extraños en la red. La existencia de defectos atómicospuntuales favorece el fenómeno de difusión (el material tiende a ser homogéneo y a repartir o compensar sus irregularidades) 2.2. Defectos atómicos lineales: debidos a las dislocaciones o deformaciones dela red por variaciones bruscas de temperatura cuando esta se formó o a la existencia de átomos extraños (con diferente radio atómico que distorsiona la red). 2.3. Defectos atómicos superficiales: enla formación de los metales se encuentran zonas ordenadas (granos) separadas por zonas desordenadas (juntas de grano). El tamaño de los granos determina la dureza de la pieza, y la forma y...
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