Liderazgo

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REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA
DE LA FUERZA ARMADA BOLIVARIANA
NÚCLEO ARAGUA
SEDE MARACAY

COORDINACIÓN DE INGENIERÍA DE TELECOMUNICACIONES

LABORATORIO
REDES ELÉCTRICAS II
Post-Laboratorio
Práctica No. 7
Circuitos Atenuadores

Profesor
Ingº. M.Sc. Gianfranco Capitelli Alumnas:Alfonzo Carlix C.I.: 18701487
Feliz Rafael C.I.:2168696
Rebolledo Andrés C.I.:19173226

Grupo Nº 3
Sección: TED601

Maracay, Julio del 2011

Desarrollo de la Práctica

Procedimiento

1.- Se montó el atenuador de 10 dB diseñado por el estudiante y se alimentó con una Fuente DC de 5V por el puerto 1, se conectó en el puerto 2 el reóstato ajustado a 50.

2.- Medianteinstrumentos de medición, se determinó la atenuación de la red bajo estas condiciones (Mida los voltajes V1, V2 y las corrientes I1, I2).

3.- Se varió la resistencia de carga desde 20 hasta 90 y se determinó la atenuación, potencia de entrada, potencia de salida, impedancia de entrada e impedancia de salida para cada valor de la resistencia de carga. Se llenó el siguiente cuadro:

RL: cargavariable
TEO: datos del Diseño del Pre-Lab ; EXP: datos experimentales

RL | 20Ω | 30Ω | 40Ω | 50Ω | 60Ω | 70Ω | 80Ω | 90Ω |
| TEO | EXP | TEO | EXP | TEO | EXP | TEO | EXP | TEO | EXP | TEO | EXP | TEO | EXP | TEO | EXP |
V1 | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V |
I1 | 109.733mA | 123.1mA | 105,9mA | 118.2mA | 103.018mA | 114.7mA | 100.772mA |111.9mA | 98.971mA | 109.7mA | 97.497mA | 108mA | 96.266mA | 106.4mA | 95.22mA | 105.2mA |
V2 | 945.053mV | 1.1V | 1,217V | 1.3V | 1.421V | 1.5V | 1.581V | 1.6V | 1.708V | 1.8V | 1.813V | 1.9V | 1.9V | 2.1V | 1.974V | 2.2V |
I2 | 47.253mA | 54mA | 40.562mA | 46mA | 35.532mA | 39.7mA | 31.611mA | 34.9mA | 28.47mA | 31.4mA | 25.896mA | 28.4mA | 23.75mA | 26mA | 21.93mA | 23.8mA |
Atenuación| 14.47dB | 13.15dB | 12.27dB | 11.70dB | 10.92dB | 10.45dB | 10dB | 9.89dB | 9.32dB | 8.87dB | 8.81dB | 8.40dB | 8.40dB | 7.53dB | 8.07dB | 7.13dB |
Zin (Ω) | 45.56Ω | 40.61Ω | 47.21Ω | 42.30Ω | 48.53Ω | 43.59Ω | 49.61Ω | 44.68Ω | 50.51Ω | 45.57Ω | 51.28Ω | 46.29Ω | 51.93Ω | 46.99Ω | 52.50Ω | 47.52Ω |
Zout (Ω) | 19.99Ω | 20.37Ω | 30.003Ω | 28.25Ω | 39.99Ω | 37.78Ω | 50Ω | 45.84Ω | 59.99Ω |57.32Ω | 70Ω | 66.90Ω | 80Ω | 80.76Ω | 90.01Ω | 92.43Ω |
Pin(mW) | 548.66mW | 615.5mW | 529.5mW | 591mW | 515.09mW | 573.5mW | 503.86mW | 559.5mW | 494.86mW | 548.5mW | 487.48mW | 540mW | 481.33mW | 532mW | 476.1mW | 526mW |
Pout(mW) | 44.65mW | 59.4mW | 49.36mW | 59.8mW | 50.49mW | 59.55 | 49.97mW | 55.84mW | 48.62mW | 56.52mW | 46.94mW | 53.96mW | 45.12mW | 54.6mW | 43.28mW | 52.36mW |Simulación del diseño N°1 con los valores teóricos de las resistencias con una atenuación de 10dB.

Simulación del diseño N°1 con los valores comerciales de las resistencias con una atenuación de 10dB. (Parte experimental en el Protoboard)

Cálculos de las atenuaciones para las diferentes resistencias utilizadas

A20Ω=20logV1(20Ω)V2(20Ω)=20log5V1,1 V=13,15 dBA30Ω=20logV1(30Ω)V2(30Ω)=20log5 V1,3V=11,70 dB

A40Ω=20logV1(40Ω)V2(40Ω)=20log5 V1,5 V=10,45 dB

A50Ω=20logV1(50Ω)V2(50Ω)=20log5 V1.6 V=9.89 dB

A60Ω=20logV1(60Ω)V2(60Ω)=20log5 V1,8V=8,87 dB

A70Ω=20logV1(70Ω)V2(70Ω)=20log5 V1,9 V=8,40 dB

A80Ω=20logV1(80Ω)V2(80Ω)=20log5 V2,1V=7,53 dB

A90Ω=20logV1(90Ω)V2(90Ω)=20log5V2,2 V=7,13 dB

Cálculos de las impedancias para las diferentes resistencias utilizadasZIN20Ω=V120ΩI120Ω=5 V 123,1*10-3 A=40,617 Ω

ZOUT20Ω=V2(20Ω)I2(20Ω)=1,1V54*10-3 A=20,37 Ω

ZIN30Ω=V130ΩI130Ω=5 V118*10-3 A =42,302 Ω

ZOUT30Ω=V2(30Ω)I2(30Ω)=1,3 V39,7*10-3 A =32,7456 Ω

ZIN40Ω=V140ΩI140Ω=5 V 114,7*10-3 A= 43,592Ω

ZOUT40Ω=V2(40Ω)I2(40Ω)=1,5 V39,7*10-3 A=37,783 Ω

ZIN50Ω=V150ΩI150Ω=5 V111,9*10-3 A =44.68 Ω

ZOUT50Ω=V2(50Ω)I2(50Ω)=1.6 V34.9*10-3 A=45.84 Ω...
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