Lubrication

Solo disponible en BuenasTareas
  • Páginas : 4 (790 palabras )
  • Descarga(s) : 0
  • Publicado : 19 de mayo de 2010
Leer documento completo
Vista previa del texto
La presión, velocidad y el proceso de consumibles características en cobre durante la Planarisacion Química Mecánica (“Chemical Mechanical Planarization or CMP”) ha sido extensamente investigada. Enesta investigación se presenta el efecto de “slurry temperature” en el coeficiente de fricción y un cambio en la micro estructura de cobre debido al proceso de pulido además investigan el efectotrabajo de endurecimiento en pulidos con películas delgadas de cobre. Debido a la miniaturización de los componentes electrónicos, la manufactura se ha vuelto más compleja. Esto ocasiona que lasdimensiones de los inter-conectores en la fabricación de los componente sean afectado. Como la resistencia y la capacitancia en los inter-conectores dependen de sus dimensiones; el tiempo de retraso (“timedelay”) que gobierna el rendimiento de la estructura en un inter-conector se hace critico. Podemos notar de la ecuación 3 RC=ρϵl2/td que el “RC delay”es independiente de el ancho de la línea. Parareducir el “RC delay” el material del cable debe ser de baja resistividad, el material dieléctrico intercalado debe poseer una constante dieléctrico bajo y el largo de los cables inter- conectores debeser reducido por tener regímenes de multi-niveles de metalización (MLM). Con el fin de fabricar de manera eficaz la estructura MLM, planarizacion de los metales sobrecargados después del primer nivelde metalización necesitan ser trabajado. El proceso CMP es uno de los más efectivos y aceptados. El CMP consiste de una porteador de muestra, papilla de alimentación, almohadilla de pulido, suspensor yel mecanismo para la rotación del “pad”. La razón de remoción en el proceso CMP sigue la famosa ley de Preston donde dice que la razón de remoción es directamente proporcional al producto de presióny velocidad. Muchas investigaciones proponen una modificación a la ecuación de Preston considerando la temperatura como un factor importante del proceso CMP, ln9RRe=(-Ecombln(k)+ln((pnUm))/RT ....
tracking img