Matematicas contables!!

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INTRODUCCIÓN
En el siguiente documento se investigaron los siguientes temas: 2.4 Fenómenos de ruptura, 2.4.1 Ruptura por multiplicación o avalancha y 2.5 Técnicas de fabricación de dispositivos de unión.
“Los diodos admiten unos valores máximos en las tensiones que se les aplican, existe un límite para la tensión máxima en inversa con que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo dedestruirlo.”
El primer paso en la fabricación de algún dispositivo es obtener materiales semiconductores del nivel de pureza deseado, como el silicio, germanio y arseniuro de galio. En la actualidad se requieren niveles de impureza de menos de una parte de mil millones (1 en 1,000,000,000) para la fabricación de la mayoría de los dispositivos semiconductores.

ÍNDICE1……………………………………………Introducción
2……………………………………………índice
3……………………………………………Fenómenos de ruptura
4……………………………………………Ruptura por multiplicación o avalancha
5 ….………………………………………..Ruptura zener
7……………………………………………Técnicas de fabricación de dispositivos De unión
12.…………………………………………Bibliografía

2.4 FENÓMENOS DE RUPTURA
Los diodos admiten unos valores máximos en las tensiones que se les aplican, existe un límite para la tensión máxima en inversa con que sepuede polarizar un diodo sin correr el riesgo de destruirlo.
Veamos un ejemplo:

Figura 1.1 tabla de tensiones máximas en inversa que se pueden aplicar a un diodo
A la tensión en la que la IR aumenta de repente, se le llama "Tensión de Ruptura" (VRuptura). A partir de este valor IR es muy grande y el diodo se estropea. En el diodo ha ocurrido el "Efecto Avalancha" o "Ruptura por Avalancha".Efecto Avalancha = Ruptura por Avalancha  = Multiplicación por Avalancha
Por otro lado se encuentra el efecto zener: Algunos diodos se diseñan para aprovechar la tensión inversa de ruptura, con una curva característica brusca o afilada. Esto se consigue básicamente a través del control de los dopados. Con ello se logran tensiones de ruptura de 2V a 200V, y potencias máximas desde 0.5W a 50W.2.4 RUPTURA POR MULTIPLICACIÓN O AVALANCHA
Aumenta la tensión inversa y con ella la z.c.e.
Figura 1.2 Tensión inversa
Ocurre lo siguiente dentro del diodo:

Figura 1.3 Ejemplo de lo que sucede dentro del diodo en la ruptura por avalancha.
Justo en el límite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los electrones. Y estos electrones pueden chocar con la red cristalina, con losenlaces covalentes. Choca el electrón y rebota, pero a VRuptura la velocidad es muy grande y por ello la Ec es tan grande que al chocar cede energía al electrón ligado y lo convierte en libre. El electrón incidente sale con menos velocidad que antes del choque. O sea, de un electrón libre obtenemos dos electrones libres.
Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrón deun enlace covalente, ceden su energía... y se repite el proceso y se crea una Multiplicación por Avalancha.
Y ahora IR ha aumentado muchísimo, tenemos una corriente negativa y muy grande (-100 mA). Con esta intensidad el diodo se estropea porque no está preparado para trabajar a esa IR.
2.4.3 RUPTURA ZENER
Este es otro efecto que puede estropear el diodo, y es muy parecido al anterior. Sesuele dar en diodos muy impurificados, diodos con muchas impurezas.

Figura 1.4 Ejemplos de diodos distintos
Al tener la z.c.e. muy pequeña y seguimos teniendo la misma tensión (0.7 V), tenemos muy juntos los átomos de impurezas teniendo así más carga en menos espacio.
En esta situación se crea un campo eléctrico muy intenso. Y el efecto es como la carga de un condensador.
Figura 1.5 Campoeléctrico
Si se polariza en inversa se ensancha la z.c.e.
¿Qué ocurre en la z.c.e.?

Figura 1.6 ejemplo de campo electrrico
A aumentado mucho E (Campo Eléctrico), por ejemplo para los 3 V llega a 300.000 V/cm y se da el "Efecto Zener": Ahora la F, fuerza debida al campo eléctrico, es capaz de arrancar el electrón y lo hace libre. Este campo eléctrico...
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