memorias flash
Páginas: 3 (608 palabras)
Publicado: 20 de octubre de 2013
Ucsm – PPIE – Sistemas Digitales III Memorias Flash
1. Definición:
Las memorias flash son una forma más desarrollada de las memorias tipo EEPROM pues permiten que múltiples posiciones dememoria sean escritas o borradas en una misma operación a comparación de su predecesora solo podía hacerlo una celda a la vez, esto aumento de manera considerable la velocidad al transferir datos;También conservaba las ventajas de las memorias tipo EEPROM como la no volatilidad de sus datos y la gran cantidad de datos que pueden ser almacenados en una unidad de área.
2. ¿Cómo funcionan lasmemorias flash?
Las memorias flash están fabricadas con compuertas lógicas NOR o NAND para almacenar los 1’s o 0’s de la información.
Estas poseen una matriz de filas y columnas con una celda en cadaposición, estas celdas poseen un transistor en cada una de las intersecciones con la finalidad de cargar o descargar la celda.
3. Tipos de memoria flash (según su funcionamiento interno):
Estasmemorias están basadas en el transistor FAMOS que es un transistor NMOS con un conductor (FG)(de óxido metálico) adicional colocado entre CG (control gate) y los teminales de fuente y drenado.
a. Concompuertas NOR:
La memoria flash NOR proporciona acceso de alta velocidad, permite leer y escribir datos en ubicaciones específicas de manera aleatoria permitiendo que la recuperación/alteración dedatos puedan ser realizados desde un byte.
¿Como?
En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG (Floating Gate), modifican (prácticamente anulan) el campo eléctrico quegeneraría CG (control Gate) en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo undeterminado voltaje en CG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje almacenado en la celda
Para programar una celda de tipo NOR se permite el paso de la corriente desde el terminal...
1. Definición:
Las memorias flash son una forma más desarrollada de las memorias tipo EEPROM pues permiten que múltiples posiciones dememoria sean escritas o borradas en una misma operación a comparación de su predecesora solo podía hacerlo una celda a la vez, esto aumento de manera considerable la velocidad al transferir datos;También conservaba las ventajas de las memorias tipo EEPROM como la no volatilidad de sus datos y la gran cantidad de datos que pueden ser almacenados en una unidad de área.
2. ¿Cómo funcionan lasmemorias flash?
Las memorias flash están fabricadas con compuertas lógicas NOR o NAND para almacenar los 1’s o 0’s de la información.
Estas poseen una matriz de filas y columnas con una celda en cadaposición, estas celdas poseen un transistor en cada una de las intersecciones con la finalidad de cargar o descargar la celda.
3. Tipos de memoria flash (según su funcionamiento interno):
Estasmemorias están basadas en el transistor FAMOS que es un transistor NMOS con un conductor (FG)(de óxido metálico) adicional colocado entre CG (control gate) y los teminales de fuente y drenado.
a. Concompuertas NOR:
La memoria flash NOR proporciona acceso de alta velocidad, permite leer y escribir datos en ubicaciones específicas de manera aleatoria permitiendo que la recuperación/alteración dedatos puedan ser realizados desde un byte.
¿Como?
En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG (Floating Gate), modifican (prácticamente anulan) el campo eléctrico quegeneraría CG (control Gate) en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo undeterminado voltaje en CG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje almacenado en la celda
Para programar una celda de tipo NOR se permite el paso de la corriente desde el terminal...
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