Memorias y raid

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Tipos de memoria RAM

Memoria SRAM
Es el acrónimo de Static Random Access Memory (Memoria Estática de Acceso Aleatorio), un tipo de memoria RAM (RAM estática) alternativa a la DRAM (RAM dinámica).
La memoria SRAM es muy cara, por lo que se suele usar con más frecuencia la memoria DRAM la cual es más barata y más pequeña, pero también más lenta, además necesita periódicas señales de refrescopara que no pierda su contenido. La SRAM por su parte no necesita ser refrescada. Ambas memorias son volátiles, queriendo decir con esto, que cuando se corta el suministro de corriente, los datos almacenados se pierden.
Debido al alto coste de fabricación de la SRAM y a su alta velocidad, su uso más común está en la memoria caché de los ordenadores.
Diseño
"Acceso aleatorio" significa que lalocalización de las posiciones en la memoria donde los datos serán leídos o escritos, no sigue ningún orden. Cada bit en una SRAM es almacenado en cuatro transistores que forman un biestable. Esta célula de almacenaje tiene dos estados estables, los cuales se utilizan para denotar 0 ó 1. Dos transistores adicionales sirven para controlar el acceso a la célula de almacenaje durante las operacionesde lectura o escritura.
Operaciones de SRAM
Una célula de SRAM tiene tres estados distintos en los que puede estar:
1. Reposo (standby): cuando no se realizan tareas de acceso al circuito
2. Lectura (Reading): cuando la información ha sido solicitada
3. Escritura (writing): cuando se actualizan los contenidos.
Tipos de memoria SRAM
Async SRAM
Es asíncrona, esto es,independiente de la frecuencia de reloj y con tiempos de acceso entre 20 y 12 nanosegundos. Podemos encontrar este tipo de memoria en la caché de los antiguos i386, i486 y primeros Pentium.
Sync SRAM
Todas las sincronizaciones se inician por el tiempo de subida/bajada del reloj. La dirección, dato almacenado y otras señales de control se asocian a las señales del reloj.
Memoria DRAM
Es el acrónimo de(Dynamic Random Access Memory) es una memoria RAM electrónica construida mediante condensadores. Los condensadores son capaces de almacenar un bit de información almacenando una carga, por lo que necesita refrescarse cada cierto tiempo: el refresco de una memoria RAM consiste en recargar los condensadores que tienen almacenado un uno para evitar que la información se pierda por culpa de las fugas (deahí lo de "Dynamic"). La memoria DRAM es más lenta que la memoria SRAM, pero por el contrario es mucho más barata de fabricar y por ello es el tipo de memoria RAM más comúnmente utilizada como memoria principal.
También se denomina DRAM a la memoria asíncrona de los primeros IBM-PC, su tiempo de refresco era de 80 ó 70 nanosegundos. Se utilizó en la época de los i386, en forma de módulos SIMM oDIMM.
Modulo SIMM
El término SIMM significa Módulo sencillo de Memoria en línea. Con los SIMMs, los chips de memoria se sueldan sobre un Conjunto de tarjetas circuitos impresos (PCB), que se insertan en un socket en la tarjeta del sistema.
Los primeros SIMMs transferían 8 bits de datos a la vez. Más tarde, a medida que los CPUs comenzaron a leer datos en fragmentos de 32 bits, se desarrolló unSIMM más amplio, que podía suministrar 32 bits de datos al mismo tiempo. La forma más fácil de diferenciar entre estos dos tipos de SIMMs era el número de pines o conectores. Los módulos anteriores tenían 30 pines y los módulos más nuevos tienen 72 pines. Por lo tanto, estos se conocieron comúnmente como los SIMMs de 30 pines y los SIMMs de 72 pines.
Otra diferencia importante entre los SIMMs de30 pines y los SIMMs de 72 pines es que los SIMMs de 72 pines miden 3/4 de pulgada (aproximadamente 1.9cm) más que los SIMMs de 30 pines y tienen una muesca en la mitad inferior de PCB. La gráfica que se ve continuación compara los dos tipos de SIMMs e indica sus anchos de datos.

SIMM de 30 pines de 3,5”
SIMM de 72 pines de 4,25”

Modulo DIMM

Los Módulos duales de memoria en línea, o...
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