Memorias

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Memorias: Definiciones y características (1)
• Un memoria es un dispositivo físico capaz de almacenar información.
• Existen una gran variedad de parámetros que permiten caracterizar o
clasificar una memoria:
- Naturaleza física del almacenamiento:
* Semiconductor (Ej. RAM, ROM, FlashROM, StickMemory, ...)
* Magnético (Ej. Unidades de cinta o disco)
* Óptico (Ej. Unidades DVD, CDROM)
-Modo de Acceso a la Información:
* Secuencial: Para acceder a un byte se requieren leer o escribir
en las posiciones previas. (Ej. Unidad de cinta, FIFO)
* Aleatorio: Se puede acceder a cualquier byte sin condición de
acceder a bytes previos (Ej. RAM, ROM, DVD, Discos
magnéticos).

Memorias: Definiciones y características (2)
- Mantenimiento de la información:
* Volátiles: pierden lainformación almacenada transcurrido cierto
tiempo o si se desconecta la alimentación de la memoria. (Ej. DRAM,
RAM)
* No volátiles: la información almacenada perdura en el tiempo
independientemente de la alimentación del dispositivo y hasta que
ésta sea sustituida por una nueva. (Ej. NVRAM, FLASH, Magnéticas,
Ópticas.
- Tiempo de acceso:
Mide el intervalo de tiempo que transcurre desde que sesolicita un
dato a la memoria y ésta lo devuelve.
* Bajo. Ej. SRAM (caché), DRAM, ROM (en general las de tipo
semiconductor)
* Alto. Ej. Unidades magnéticas y ópticas.

Memorias: Jerarquías

CAPACIDAD CRECIENTE

DISCO MAGNÉTICO

DRAM

Caché

DISCO ÓPTICO

SRAM

ROM

REGISTROS
FLASH
UNIDADES DE CINTA

Microprocesador
NVRAM
Memoria principal
o primaria

COSTE CRECIENTEOTROS

Memoria secundaria o masiva

Memorias: Memorias semiconductoras:Organización(1)
• La unidad mínima de almacenamiento es el bit y la estructura física que lo
soporta se denomina celda básica.
• La memoria organiza las celdas por filas y columnas (estructura matricial).
• Existen varias formas de acceder la celdas (o grupos de ellas): decodificación
por filas y decodificaciónpor filas y columnas.
• Decodificación por filas:

CELDA BÁSICA

N
BUS DE DIRECCIONES

DECODIFICADOR

BUFFERS
M
BUS DE DATOS

Memorias: Memorias semiconductoras:Organización(2)

N

N/2

DECODIFICADOR

BUS DE DIRECCIONES[N]

• Decodificación por filas y columnas.:

M

M

M

N/2
MUX (si lectura)/DEMUX (si escritura)
CELDA BÁSICA

M
BUFFERS
M

BUS DE DATOS Memorias: Memorias semiconductoras: ROM (1)
• Son memorias de sólo lectura.
• No pierden la información aunque se interrumpa la alimentación.
• Tipos: ROM, PROM (OTP ROM), EPROM, EEPROM (FLASH)
• Las memorias ROM se programan en fábrica y no es posible
modificar su contenido
• Las memorias PROM contienen una matriz de fusibles que es
programable por el usuario una sola vez.
• Las EPROMpermiten su reprogramación después de someter al
chip a un proceso de borrado por radiación ultravioleta.
• Las EEPROM permiten su reprogramación eléctrica. Las FLASH
EEPROM son más rápidas por permitir borrado y escritura por
bloques aunque tienen el inconveniente del desgaste (10.00090.000 borrados).

Memorias: Memorias semiconductoras: ROM (2)
• Ejemplo: Memoria EPROM
• Señales de control:#OE (habilitador salida), #CE (habilitador chip)

Memorias: Memorias semiconductoras: ROM (3)
• Proceso de lectura:
- Establecer dirección
- Habilitar chip y salidas

Tiempo de acceso

Memorias: Memorias semiconductoras: RAM (1)
• Son memorias de lectura y escritura.
• Tipos: SRAM y DRAM.
• Características de la SRAM:
- Celda básica basada en un biestable (6 transistores)
-Rápidas (-> Caché)

- La información no se pierde mientras exista alimentación

Memorias: Memorias semiconductoras: RAM (2)
• Ejemplo de SRAM
• Señales de control (#CS, Habilitador de chip; #WE, Lectura/Escritura;
#OE, Habilitador de salida)
Establecer la dirección
Proceso de lectura

Poner #WE a 1 lógico
Habilitar salidas y chip

Memorias: Memorias semiconductoras: RAM (3)
• RAM...
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