Metodos para la fabricacion de los diodos

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METODO DE ALEACIÓN
Este método consiste esencialmente en fundir sobre un semiconductor una impureza de tipo P o de tipo N. Si, por ejemplo, se hace fundir sobre una placa de germanio deltipo N, calentada a 500 °C, una cierta cantidad de indio, este ultimo se funde, el germanio se disuelve y las fases liquidas penetran en la placa paralelamente a las superficies, hasta que lasolución se satura, es decir, a una profundidad que depende del peso del indio, del área en contacto y de la temperatura alcanzada, obteniéndose así una región P.
METODO DE DIFUSIÓN
Estemétodo consiste en difundir un vapor de tipo N o P sobre un monocristal de un semiconductor determinado que contenga ya una impureza del tipo contrario a la que se hace difundir.
Porejemplo, si se coloca una placa de germanio de tipo N dentro de un recipiente en el cual circula vapor de indio, se puede obtener una unión P-N por difusión de los átomos de indio a través de lasuperficie de la placa de germanio, mayor será la penetración del indio; por ejemplo, a 570 °C se puede tener una penetración de de 80 A en 100 seg. Y a 870°C se obtiene una penetración de de8000 A en el mismo tiempo.
METODO EPITAXIAL
Tomando el caso del germanio, este método consiste en evaporar dentro de una atmósfera gaseosa yoduro de germanio (Gel2) y alguna impurezasobre un monocristal de tipo P o tipo N. El yoduro de germanio se descompone sobre el monocristal de germanio según la reacción reversible:
Gel2 Gel4 + Ge.
Evaporando en forma simultanea Gel2y la impureza sobre el monocristal calentado a una temperatura dada, se puede obtener una unión. La mayor ventaja de este método es que permite la obtención de regiones muy delgadas depureza controlada. Se puede emplear en combinación con otras técnicas (de difusión y de aleación) para construir transistores con aplicaciones en ultra alta frecuencia y circuitos integrados.
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