Mierda para susbr

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Principios físicos de
El logro de alta eficiencia
La eficiencia semaximiza al minimizar
disipación de la energía, al tiempo que
una salida de potencia deseado. En la mayoría de RF y
amplificadores de potencia de microondas, el más grande
disipación de la energía estáen el poder
transistor: el producto del transistor
tensión y corriente en cada punto
momento durante el período de RF, integrado
y como promedio durante el período de RF. Aunque
el transistordebe mantener
de alto voltaje durante parte del período de RF
y la conducta de gran intensidad durante
parte del período de RF, el circuito puede ser
dispuestos de modo que la tensión alta y altaactual no existen al mismo tiempo.
Luego, el producto de la tensión del transistor
y la corriente será baja en todo momento
durante el período de RF. Fig. 1 muestra conceptual
"Objetivo" formas deonda del transistor
voltaje y la corriente que cumplan con los
de alta eficiencia requisitos. El transistor
funciona como un interruptor. La tensión-
actual del producto es bajo a lo largo
elperíodo de RF debido a que:
1. "El" estado: La tensión es casi
cero cuando la corriente fluye a alta,
es decir, el transistor actúa como un lowresistance
interruptor cerrado durante el
"En la" partedel período de RF.
2. "Off" estado: La corriente es cero cuando
no es de alta tensión, es decir, el
actos transistor como un interruptor abierto durante
"off" parte del período de RF.
Cambio delas transiciones: Aunque el
diseño hace que el encendido / apagado
transiciones tan rápido como sea posible, una gran eficacia
técnica debe adaptarse
limitación práctica del transistor
paraaplicaciones de RF y microondas:
los tiempos de conmutación del transistor-la figura 2-Esquema de un amplificador de bajo orden de la Clase-E.
Fig. 1-conceptual "objetivo" formas de onda de tensión del...
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