Mosfet
Símbolo:
Forma física
Canal: N
Canal: P
Tipo de Empaquetamiento:
a) TO-92
b) TO-18
c) TO-220
Segunda Parte: Circuito dePrueba
1) Mostrar y medir el efecto del voltaje de Drenador de la corriente ID con polarización cero en la compuerta y determinar el valor del voltaje deDrenador-Surtidor (estrangulamiento) requerido para producir una corriente constante de drenador.
VDS (V) | 0 | 0.532 | 1.042 | 1.501 | 2.050 | 2.505 | 3 | 3.519 |
IDS(mA) | 0 |2.72 | 4.64 | 5.71 | 6.4 | 6.71 | 6.88 | 6.98 |
VDS (V) | 4.064 | 4.816 | 6.47 | 7.56 | 8.66 | 10.8 | 11.08 | 12.98 |
IDS(mA) | 7.05 | 7.12 | 7.19 | 7.20 | 7.20 |7.22 | 7.12 | 7.12 |
* ¿Cómo se llama la zona en donde el valor es menor de Vp?
Zona Óhmica
* ¿Cómo se llama la zona en donde la corriente ID no aumenta?
Zonade Saturación
* ¿Qué pasa con la corriente en la zona óhmica?
Aumenta de forma casi lineal
Observaciones:
Se pudo observar el funcionamiento de los JFET, su zonaóhmica, su zona de saturación, etc.
Se pudo ver que el Vp tiene el mismo valor que el Voltaje negativo que se da en la compuerta cuando este hace que la corrientesea cero (-Vp)
Conclusiones:
Se pudo determinar los terminales de un FET
Se probaron los estados de un FET
Se mostro y midió el efecto del voltaje de drenaje conpolarización cero en la compuerta y se determino el voltaje de estrangulamiento para producir una corriente de drenaje constante (7.12mA).
Se midió el voltaje depolarización inversa requerida para producir estrangulamiento para un valor dado de voltaje de fuente a drenador.
Se implemento un circuito básico de polarización con FET
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