Mosfet

“MOSFET” Incremental y Decremental
La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOSFET es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipoMetal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia.Decremental
El hecho e que la ecuación de Shockley sea también aplicable a los MOSFET’s de tipo decremental da por resultado una misma ecuación para gm. De hecho el modelo equivalente de Ac para losMOSFET’s decremental es EXACTAMENTE el mismo que el utilizado para los FET’s. Sus características son parecidas al de un JFET entre el corte y la saturación en Idss, pero luego tiene el rasgo adicional decaracterísticas que se extienden hacia la región de polaridad opuesta para Vgs. La compuerta (G) se encuentra conectada a una superficie de contacto metálico pero permanece aislada del canal “n” por unacapa de dióxido de silicio (Si O2). La fuente (S) y el drenaje (D) se conectan a la región dopada “n” por medio de contactos metálicos y unidas por un canal “n”. Debido a la presencia de Si O2 serevela lo siguiente:   No existe conexión eléctrica entre la compuerta (G) y el canal de un Mosfet. Se debe a esta capa aislante que se explica la alta impedancia, muy deseable por cierto.

La muyalta impedancia de entrada, continua soportando totalmente el hecho de que la corriente de la entrada (Ig) en esencia de valor cero amperes, para las configuraciones de polarización en DC. La únicadiferencia que presentan los MOSFET´s decremental es que VGS que puede ser positivo para los dispositivos de canal “n” y negativo para los de canal “p”. El resultado de esto es que gm puede ser mayor quegm0.

Incremental
Si se aplica una tensión VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene en cero. Al aplicar una tensión positiva a la zona N del drenaje, el diodo que forma éste con el...