Mosfets

INSTITUTO TECNICO HONDURAS

ASIGNATURA:
ELECTRONICA 2

INTEGRANTE:
OSCAR JOSUE MIDENCE HERNANDEZ

NOMBRE DEL PROFESOR:
RICARDO CRUZ

CURSO Y SECCION:
V-5

TEGUCIGALPA MCD 11/09/13



INDICE
1- Introducción
2- Historia
3- Símbolo
4- Tipo de mosfets
5- Modo de operación
6- Aplicaciones
7- Conclusiones
8- Bibliografia








1. INTRODUCCION
El transistorde efecto de campo metal-óxido semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente latotalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo.Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es un poco más inclusivo, debido a que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metálica, y un aislante de compuerta que no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor deefecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).


2. HISTORIA
Fue ideado teóricamente por el alemán Julius Von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar hasta décadas más tarde. Enconcreto, para que este tipo de dispositivos pueda funcionar correctamente, la intercar entre el sustrato dopado y el aislante debe ser perfectamente lisa y lo más libre de defectos posible. Esto es algo que sólo se pudo conseguir más tarde, con el desarrollo de la tecnología del silicio.
En 1959, Dawon Kahng y Martin M. (John) Atalla en los Laboratorios Bell inventaron el transistor de efecto decampo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) como un avance y mejora sobre el diseño del transistor FET patentado.1 Con una operación y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unión,2 el transistor MOSFET fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un semiconductor y luego colocando un electrodo metálico de compuerta sobre el aislante. Se utiliza silicio cristalinopara el semiconductor base, y una capa de dióxido de silicio creada a través de oxidación térmica, que se utiliza como aislante.






3. SIMBOLO
Existen distintos símbolos que se utilizan para representar el transistor MOSFET. El diseño básico consiste en una línea recta para dibujar el canal, con líneas que salen del canal en ángulo recto y luego hacia afuera del dibujo de formaparalela al canal, para dibujar el surtidor y el drenador. En algunos casos, se utiliza una línea segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una línea sólida para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra línea es dibujada en forma paralela al canal para destacar la compuerta.






Canal P





Canal N
JFET
MOSFET Enriq.
MOSFET Enriq. (sin sustrato)MOSFET Empob.







4. TIPOS DE MOSFETS
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creación de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensión en la compuerta. La tensión de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una región de inversión, es decir, una...