Potencia

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Andres Felipe Melo Manrique
Tec. Electronica y Telecomunicaciones
Codigo:33000518
Transistores de potencia.
Los transisitores de potencia tienen características de encendido y apagado. Los transistores, que se utilizan como elementos de conmutación, se operan en la región de saturación, y producen una pequeña caída de voltaje en el estado de encendido. La velocidad de conmutación delos transistores modernos es mucho mayor que le de los tiristores y se emplean frecuentemente en convertidores cd-cd y cd-ca, con diodos conectados en paralelo inveso para proporcionar flujo bidireccional de corriente. Sin embargo, sus especificaciones nominales de voltaje y corriente son menores que las de los tiristores y normalmente los transisitores se emplean en aplicaciones de baja medianapotencia. Los transistores de potencia se pueden clasificar de manera general en seis categorías:
•BJT: Transistores bipolares de unión.
•FET: Transistores de efecto de campo.
•JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
•MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
•MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor.
•IGBT: Transistores depuerta aislada.
Caracteristicas:
LOS TRANSISTORES SON DISPOSITIVOS DOTADOS DE 3 TERMINALES
DOS DE LOS TERMINALES ACTÚAN COMO TERMINALES DE ENTRADA (CONTROL)
DOS ACTÚAN COMO TTERMINALES DE SALIIDA
UNTTERMINAL EES COMÚN A ENTRADA Y SALIIDA
LA POTENCIA CONSUMIDA EN LA ENTRADA ES MENOR QUE LA CONTROLADA EN LA SALIDA
LA TENSION ENTRE TERMINALES DEENTRADA DETERMINA LA SALIDA: PUEDE FUNCIONAR COMO FUENTE DE CORRIENTE (ZONA ACTIVA),
CORTOCIRCUITO (SATURACIÓN) O CIRCUITO ABIERTO (CORTE). EN LOS ACCIONAMIENTOS PARA MOTORES TRABAJAN EN CONMUTACIÓN
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Los transistores bipolares pueden ser PNP o NPN
TRANSISITOR BJT
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El BJT (“Bipolar Junction Transistor”), fue introducido a principios de los años 80, enAl igual que el tiristor tiene tres terminales: colector C, emisor E y base (B).
APLICACIONES:
Resisitencia variable (en cc y Zona lineal)
Interruptor: Corte y Saturación
Amplificador
TRANSISTOR MOSFET
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conducción a bloqueo.
APLICACIONES:
Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:
Resistencia controladapor tensión.
Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
TRANSISTOR IGBT
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TRANSISTOR FET
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El transistor de efecto campo (_Field-Effect__ Transistor_ o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campoeléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (_thin__-filmtransistor_, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (_gate_), drenador (_drain_) y fuente (_source_). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta comoun interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por...
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