Practica 5 dispositivos

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PRACTICA 5: CARACTERIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR
OBJETIVOS:
1.- Identificar las terminales del transistor.
2.- Comprobar el efecto transistor.
3.- Caracterizar el transistor de unión bipolar.
4.- Obtener las curvas de entrada y salida del transistor.
MATERIAL:
• Transistores BC547A
• Protoboard
• Resistencias
• Alambre

DESARROLLO:
Consultar las hojas deespecificaciones del fabricante, para obtener las características de funcionamiento del transistor que se va a emplear en la práctica.
5.1.- Identificar las terminales del transistor bipolar.
Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor y si éste es NPN ó PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de especificaciones del fabricante yque nos indican como están ubicadas las terminales de emisor, colector y base.
5.1.1.- Usar el multímetro en su función de óhmetro para identificar las terminales del transistor.
1.- Use un multímetro en su función de óhmetro. Mida el efecto rectificante entre las uniones emisor-base y colector-base. Para el caso de un transistor NPN, cuando se coloca el positivo de la punta de prueba(roja) en la base (P) y el negativo de la punta de prueba (negra) en cualquiera de las otras dos terminales deberá medirse un valor de resistencia, al invertir la polaridad la resistencia medida deberá ser muy alta ó infinito (use la misma escala del óhmetro para realizar éstas mediciones. Entre las terminales colector-emisor se medirá alta resistencia (infinito) sin importar como se coloque lapolaridad de las terminales del óhmetro. Cuando se trata de un transistor PNP, con la punta de prueba negativa (negra) del óhmetro se identifica la base y se realizan las misma mediciones que en el NPN.
2.- Habiendo identificado la terminal de la base de las otras dos terminales y el tipo de transistor, se comparan las mediciones obtenidas en emisor-base y colector base. La unión que reportemayor resistencia corresponderá a la unión emisor-base, con este dato ya se podrá determinar cual terminal corresponde a la base, el emisor y el colector. Anote las mediciones.
Identifique anotando las terminales en el isométrico del transistor la letra correspondiente.

Identifique anotando las terminales en el isométrico del transistor la letra correspondiente.
Medición 1: 31.77M OhmMedición 2: 33.008M Ohm
Símbolos del transistor NPN y PNP

3.- Si su multímetro tiene la función “prueba de diodos” ( [pic] ), realice el procedimiento anterior compare sus resultados.
5.2.- Comprobación del efecto transistor.
Armar el circuito de la figura y compruebe el “efecto transistor”, enel cual se hace evidente la inyección de portadores de la región de emisor hasta la región de colector, debiendo estar la unión base-emisor polarizada directa, independientemente de la polarización que se presente en la unión colector-base. Comprobar que el valor de la corriente medida en el colector, prácticamente es igual a la que se obtiene en el emisor.
IC = 9.228mA
IC( IE

1. Armar el circuito como se indica en la figura, y realiza las medidas como se indica en la tabla y registrarlas en la tabla, para distintos voltajes de la fuente de alimentación VI de cd que debe variar entre 0 y 12 V.
|[pic] | | | |
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