presentacion5 tiristores

Tipos de Tiristores

SCR (Silicon Controlled Rectifier)
A este dispositivo se le suele llamar Tiristor

DIAC

TRIAC

GTO

SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Es uno de los semiconductores másantiguos
1957 General Electric Research Laboratories

Tiene una enorme capacidad de manejar potencia
Son muy robustos
Seguirá teniendo aplicaciones debido a que es de los semiconductores con
mayor capacidadde manejar potencia

Estructura de 4 capas

SCR

IA

Característica V-I

Ánodo
A
VAK

Puerta
Cátodo
IA

K

Polarización directa: una vez disparado,
conduce como un diodo

Polarización directa: si nose ha
disparado, no conduce
VAK

Zona de transición

Con polarización inversa se comporta como un diodo: no conduce

El SCR se apaga de forma natural cuando la corriente pasa por cero

Encapsuladosde SCR

ADD A PACK

MAGN A PACK

PACE PACK

TO-200

Parámetros fundamentales para seleccionar un SCR
• Tensión de ruptura
• Corriente máxima
• Velocidad de conmutación

Tensiones de ruptura dedispositivos comerciales
400 V
Alta tensión

800 V

1000 V
1200 V

Soportan tensión directa (VDRM) e
inversa (VRRM)

Características de disparo
Para disparar el SCR hay que introducir corriente por lapuerta

Para que el disparo sea efectivo, se deben de cumplir dos condiciones:
1. La corriente de puerta debe ser superior a un cierto valor

IG

Zona de disparo seguro

Ningún SCR se dispara
VGK
No segarantiza el disparo

Características de disparo
El circuito de disparo debe tener una recta de carga tal que el punto de
corte esté en la zona de disparo seguro
Z1
V1

IG
V1 / Z1

Zona de disparoseguro

V1

VGK

Características de disparo
2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente ánodo-cátodo sobrepase un
cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento
(Latching Current)

IASigue conduciendo
ILATCHING

Se apaga

IG

Una vez disparado, el SCR sigue conduciendo aunque no
tenga corriente en puerta

Características de disparo
Podríamos disparar el SCR con un pulso de...