Proyecto de sistemas

Ing. En sistemas computacionales

Tarea No.7 de electrónica Básica

2*Cuatrimestre

Tarea 7 correspondiente al capítulo VII

1.     Menciona las características de los dispositivos semiconductores
R= El dispositivo semiconductor más simple es el diodo; está hecho por la unión de un material semiconductor de tipo N y otro de tipo P. Nos ocuparemos solo de los diodos de Silicio. Hay diodosconstruidos de otros materiales tales como el Germanio y el Arseniato de Galio, pero su forma de operar es esencialmente la misma. Es fácil darse cuenta que un diodo semiconductor es básicamente un interruptor controlado eléctricamente; parte operacional del diodo es una pieza especialmente tratada de silicio que tiene dos regiones un ánodo (región tipo P) y un cátodo (región tipo N).2.     Describe la dirección de conducción
R= El diodo actúa como una válvula de cheque, deja circular las cargas eléctricas en una dirección pero impide el paso en dirección contraria. La dirección de conducción es aquellas cuando el ánodo es mas positivo que el cátodo y se sobrepasa el umbral de voltaje de alrededor de 0.7 voltios de esta forma se establece la corriente. En la dirección inversa el cátodoes mas positivo que el ánodo es decir la corriente está tratando de circular en sentido contrario lo que no es permitido por el diodo. De manera que podemos resumir el diodo como una forma automática de interruptor, cuando la corriente está en el sentido de la conducción esta se permite, en sentido contrario se impide.

3.     Explica la diferencia entre las regiones P y N
R= Cuál es ladiferencia entre las regiones del ánodo P y el cátodo N en el silicio. En principio el material básico para ambos es un chip hecho de un único cristal de silicio. Lo que significa que todos los átomos dentro del cristal están alineados en las mismas filas y capas a través de todo el cristal, sin embargo ciertas modificaciones se hacen al cristal de silicio en cada región. La región del ánodo tiene algunosátomos de aluminio mezclados con los de silicio. Debido a eso y por razones que veremos más adelante, el material de ánodo es llamado silicio de tipo P. De la misma forma, la región del cátodo del cristal tiene algunos átomos de fósforo puestos por aquí y por allá, este tipo de material se llama silicio tipo N.

4.     Describe el silicio tipo N
R= Primero veamos que sucede cuando dopamos unapieza de silicio con fósforo para producir sílice de tipo N.  un átomo de fósforo tiene 15 electrones y 15 protones, uno mas que el silicio, por lo que la valencia de fósforo es cinco en lugar de cuatro. El nivel de valencia necesita tres electrones para estar completo. cada átomo de fósforo toma un lugar en el cristal, rodeado por cuatro átomos de silicio formando enlaces covalentes entre si. Losátomos de silicio que rodean al de fósforo lo obligan a formar cuatro en laces  covalentes por lo que este está obligado a compartir cuatro de sus cinco electrones de valencia. No hay cabida para el quinto electrón de valencia del fósforo, su nivel de valencia está completo, tiene sus cuatro electrones propios mas los cuatro electrones compartidos con los átomos de silicio. El quinto electrón esliteralmente expulsado del nivel de valencia y se convierte en un "electrón libre". Este electrón no está muy sujeto por el corazón del átomo y por tal motivo se convierte en el electrón capaz de ser portador de corriente. Este electrón libre se parece mas al electrón solitario del sodio tratado con anterioridad.

5.     Menciona el tipo de átomos de los semiconductores tipo N
R=6.     Explica la recombinación de los átomos
R=

7.     Describe los transistores bipolares NPN
R= Primeros hablemos de como están construidos los transistores bipolares típicos del tipo NPN.; aquí se representa el símbolo esquemático de uno de estos transistores. En ella se sugiere que el transistor tiene una barra segmentada en tres regiones; Esta forma es en realidad la forma en la que fueron...