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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE EL SALVADOR
FACULTAD DE INGENIERÍA Y ARQUITECTURA
ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRICA

TEMA: INVESTIGACIÓN PREVIA LABORATORIO No.1

MATERIA: SISTEMAS ELECTRÓNICOS YDIGITALES

ALUMNO: Juan Antonio Benavides Méndez BM200006

San Salvador 18 de febrero de 2011.

1. Investigue cual es la tecnología en que están basados los diodos LED
Un diodo emisor deluz, también conocido como LED (acrónimo del inglés de light-emitting diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directala unión PN del mismo y circula por él una corriente eléctrica. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta también reciben el nombre de UV LED (ultraviolet light-emitting diode) y los queemiten luz infrarroja se llaman IRED (infrared emitting diode)

La tecnología LED consiste en hacer brillar un cristal que trasforma la energía en luz difusa, permitiendo mayores contrastes, brilloy percepción de detalles extraordinarios. Es actualmente la mayor innovación en iluminación, dejando atrás el tradicional sistema de iluminación con tubos fluorescentes.

2. Investigue en algúnmanual las características principales (PIV, IMAX, VF) de los diodos 1N4003, 1N34109 y BY127

| 1N4003 | 1N34109 | BY127 |
PIV | | | |
IMAX | | | |
VF | | | |

TIPO NÚMERO |SÍMBOLOS | 1N4003 | UNIDADES |
Máximo pico de tensión inversa recurrente | VRRM | 200 | Voltios |
Voltaje reverso del | VRMS | 140 | Voltios |
  | | | |
Máximo voltaje RMS | | | |
Máximovoltaje de CC de bloqueo | VDC | 200 | Voltios |
Promedio máximo hacia adelante rectificado actual | I (AV) | 1 | Amplificador |
  | | | |
0.375 "(9.5mm) Longitud de plomo en Ta = 75 | | | |Delantera máxima oleada actual, 8.3 ms sine solo media onda | IFSM | 30 | Amplificadores |
  | | | |
superpuesta a la carga nominal (método de JEDEC) | | | |
Máxima tensión directa...
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