Quimica

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  • Publicado : 15 de marzo de 2011
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de los grupos III y V
o Antimoniuro de aluminio (AlSb)
o Arseniuro de aluminio (AlAs)
o Nitruro de aluminio (AlN)
o Fosfuro de aluminio (AlP)
o Nitruro de boro (BN)
o Fosfuro de boro (BP)
o Arseniuro de boro (BAs)
o Antimoniuro de galio (GaSb)
o Arseniuro de galio (GaAs)
o Nitruro de galio (GaN)
o Fosfuro de galio (GaP)
o Antimoniuro de indio (InSb)
o Arseniuro de indio(InAs)
o Nitruro de indio (InN)
o Fosfuro de indio (InP)
• Aleaciones triples con elementos de los grupos III y V
o Arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs, AlxGa1-xAs)
o Arseniuro de galio-indio (InGaAs, InxGa1-xAs)
o Fosfuro de galio-indio (InGaP)
o Arseniuro de indio-aluminio (AlInAs)
o Antimoniuro de indio-aluminio (AlInSb)
o Nitruro de galio-arsenico (GaAsN)
o Fosfuro degalio-arsenico (GaAsP)
o Nitruro de galio-aluminio (AlGaN)
o Fosfuro de galio-aluminio (AlGaP)
o Nitruro de galio-indio (InGaN)
o Antimoniuro de indio-arsenico (InAsSb)
o Antimoniuro de galio-indio (InGaSb)
• Aleaciones cuádruples con elementos de los grupos III y V
o Fosfuro de aluminio-galio-indio (AlGaInP, o InAlGaP, InGaAlP, AlInGaP)
o Fosfuro de aluminio-galio-arsénico (AlGaAsP)o Fosfuro de indio-galio-arsénico (InGaAsP)
o Fosfuro de aluminio-indio-arsénico (AlInAsP)
o Nitruro de aluminio-galio-arsénico (AlGaAsN)
o Nitruro de indio-galio-arsénico (InGaAsN)
o Nitruro de indio-aluminio-arsénico (InAlAsN)
• Aleaciones quíntuples con elementos de los grupos III y V
o Antimoniuro de galio-indio-nitrógeno-arsénico (GaInNAsSb)
Grupo II-VI
• Semiconductores de losgrupos II y VI
o Seleniuro de cadmio (CdSe)
o Sulfuro de cadmio (CdS)
o Teluro de cadmio (CdTe)
o Óxido de zinc (ZnO)
o Seleniuro de zinc (ZnSe)
o Sulfuro de zinc (ZnS)
o Teluro de zinc (ZnTe)
• Aleaciones triples con elementos de los grupos II y VI
o Teluro de cadmio-zinc (CdZnTe, CZT)
o Teluro de mercurio-cadmio (HgCdTe)
o Teluro de mercurio-zinc (HgZnTe)
o Seleniuro demercurio-zinc (HgZnSe)
Grupo I-VII
• Semiconductores de los grupos I y VII
o Cloruro de cobre (CuCl)
Grupo IV-VI
• Semiconductores de los grupos IV y VI
o Seleniuro de plomo (PbSe)
o Sulfuro de plomo (PbS)
o Teluro de plomo (PbTe)
o Sulfuro de estaño (Sanz)
o Teluro de estaño (SnTe)
• Aleaciones triples con elementos de los grupos IV y VI
o Teluro de plomo-estaño (PbSnTe)
oTeluro de talio-plomo (Tl2SnTe5)
o Teluro de talio-germanio (Tl2GeTe5)
Grupo V-VI
• Semiconductores de los grupos V y VI
o Teluro de bismuto (Bi2Te3)
Grupo II-V
• Semiconductores de los grupos II y V
o Fosfuro de cadmio (Cd3P2)
o Arseniuro de cadmio (Cd3As2)
o Antimoniuro de cadmio (Cd3Sb2)
o Fosfuro de zinc (Zn3P2)
o Arseniuro de zinc (Zn3As2)
o Antimoniuro de zinc (Zn3Sb2)Semiconductores por capas
• Yoduro de estaño II (PbI2)
• Disulfuro de molibdeno (MoS2)
• Seleniuro de galio (GaSe)
• Sulfuro de estaño (SnS)
• Sulfuro de bismuto (Bi2S3)
Otros
• Seleniuro de cobre-indio-galio (CIGS)
• Siliciuro de platino (PtSi)
• Yoduro de bismuto II (BiI3)
• Yoduro de mercurio II (HgI2)
• Bromuro de talio (TlBr)
• Óxidos varios
o Dióxido de titanio:(anatase) (TiO2)
o Óxido de cobre (I) (Cu2O)
o Óxido de cobre (II) (CuO)
o Dióxido de uranio (UO2)
o Trióxido de uranio (UO3)
• Semiconductor orgánico ó Polímero semiconductor
• Semiconductores magnéticos
"
Elemento Grupo Electrones en
la última capa
Cd
II B 2 e-
Al, Ga, B, In
III A 3 e-
Si, C, Ge
IV A 4 e-
P, As, Sb
V A 5 e-
Se, Te, (S)
VI A 6 e-

Semiconductor
Unsemiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
El elemento semiconductor más usado es el Silicio, el...
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