Resumen capitulo 1 Boylestad electronica

Páginas: 6 (1258 palabras) Publicado: 13 de mayo de 2013

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE BIOTECNOLOGÍA.





ELECTRONICA I

RESUMEN UNIDAD I BOYLESTAD
DIODOS SEMICONDUCTORES.




MÉXICO, D. F. Agosto 2012






DIODOS SEMICONDUCTORES1.2 Diodo ideal
El diodo ideal es un dispositivo con dos terminales que se representa por el símbolo .
De forma ideal un diodo conducirá corriente en la dirección definida por la flecha que muestra el símbolo y actuará como el circuito abierto ante cualquier intento por establecer corriente en dirección opuesta.




1.3 Materiales semiconductores
Unsemiconductor es un material que posee un nivel de conductividad sobre algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor. De manera inversa y relacionada con la conductividad de un material se encuentra resistencia al flujo de carga o corriente.
El átomo de germanio tiene 32 electrones en órbita mientras que el de silicio tiene 14 electrones en varias órbitas. En ambos casos tienen 4electrones de valencia. Estos átomos forman enlaces covalentes.
Los avances recientes han reducido los niveles de impurezas en la fabricación de Ge y Si a una parte por cada 10 mil millones (1: 10 000 000 000).
Otra característica es que los átomos de estos elementos forman el patrón muy definido periódico.A un patrón completo se le llama cristal, y a un arreglo periódico de átomos red cristalina. Cualquier material compuesto sólo de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo se denomina estructura de cristal único.
Un incremento en la temperatura consemiconductor puede generar un incremento sustancial en el número de electrones libres el material.


1.4 Niveles de energía
Mientras más distante se encuentre electrón del núcleo mayor es el estado de energía y cualquier electrón que haya dejado a su átomo tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón en la estructura atómica.
1.5 Materiales Extrínsecos: Tipo n y tipo p
Un materialsemiconductor que haya sido sujeto a proceso de dopado se denomina en materia de Extrínsecos existen dos tipos:
Material tipo n. Se crea a través de la introducción de elementos que poseen cinco electrones de Valencia como el antimonio,arsénico y fósforo. A las impurezas difundidas con cinco electrones de Valencia se les denomina átomos donadores.
Material tipo p. Se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de siliciocon átomos de impureza que poseen tres electrones de Valencia. Los elementos que es utilizan con mayor frecuencia para este propósito son el boro, galio e indio. A las impurezas difundidas con tres electrones de Valencia se les conoce como átomos aceptores.
En un material tipo N al electrón se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario.En un material tipo p el hueco que ser portador mayoritario y el electrón es el portador minoritario.

1.6 Diodo semiconductor
El diodo semiconductor se forma a contar materiales tipo p y n, constituidos con la misma base (Si o Ge). En el momento en el que son unidos los dos...
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