riesgos desensamble de un portatil

-Dispositivos semiconductores (Transistores) BJT, FET, UJT

Actividad Nro. 3: realizar las tablas de parámetros eléctricos según el manual de remplazos NTE/ ECG con el fin de realizar montaje practico según esquema.
Descargar el programa de simulación de circuitos BrigtSpark con la finalidad de observar y reconocer las premisas del flujo de las corrientes eléctricas, las polarizaciones delos dispositivos semiconductores circuito nro 14 y 15.

Taller de consulta, Ampliacion y complemento de la guiaFunEMEC 05
De a cuerdoalos contenidos de la presente guia consultar y resolver
Que son los dispositivos semiconductores de tipo (Transistor)
como se clasifican y funcionan los transistores. BJT, FET y UJT
Cuales son las polarizaciones de los transistores.
Que electrodos formanparte de cada uno de los TR.
Cuales son los tipos de encapsulado mas comunes utilizados en los transistores.
De acuerdo a la consulta en el manual NTE/ECG establecer los parametros de los transistores BC547, 2N2222, A733, TIP41c, TIP42c, 2N3904 y 2N3906


1-es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término«transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc.

2.1- El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar JunctionTransistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en grannúmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
-Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

>Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Sunombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
>Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
>Colector, de extensión mucho mayor.

2.2- El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" enun material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistenciascontroladas por diferencia de potencial.
La mayoria de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película quese deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).

2.3- El transistor uniunión es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (), base uno () y base dos (). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales , en la que se difunde unaregión tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.

3- Se presentará el circuito clásico de auto polarización con cuatro resistores, y a partir del análisis de las mallas de entrada y salida se obtendrá la Recta de Carga Estática sobre la cual se ubica el punto...