SOCIOLOGIA
Páginas: 5 (1133 palabras)
Publicado: 31 de enero de 2015
UNIVERSIDAD TÉCNICA DE MANABÍ
DEPARTAMENTO DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
CARRERA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
TRABAJO DE:
ELECTRÓNICA BÁSICA
TEMA:
AMPLIFICADORES CON BJT
AUTORES:
PALMA ALAVA JIMMY ALEXIS
AGUILAR MOREIRA BYRON
PILLIGUA MENENDEZ LIDER
SANCHEZ ZAMBRANO JOSE DIEGO
NIVEL:
QUINTO “A”
PROFESOR:
ING. MAURO LOOR
Fecha:
26 DE ENERO DEL 2015
Tema:¨Amplificadores con BJT¨
OBJETIVOS
Objetivo General:
Conocer los diferentes tipos de amplificadores básicos con BJT, su funcionamiento y características.
Objetivos específicos:
Analizar la operación de amplificadores en emisor común.
Describir la operación de amplificadores en colector común.
Saber cómo funcionan los amplificadores en base común.Amplificadores con BJT
El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico semiconductor de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, lo cual permite controlar el paso dela corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades, y son de gran utilidad ya quécumplen funciones como amplificador; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y generalmente se usan en la electrónica analógica.
Estructura
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región delcolector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar “dopada”, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que este terminal funciona comoemisor de portadores de carga.
Base: la de posición intermedia y muy estrecha, la cual separa el emisor del colector.
Colector: de extensión mucho mayor.
Transistor de unión bipolar NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de lostransistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Transistor de unión bipolar PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentesregiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
El amplificador en emisor común
La configuración en emisor común (EC) tiene al emisor como terminal común, o tierra, ante una señal de CA. Los amplificadores en EC tienen una alta ganancia de voltaje y una alta ganancia de corriente.
Lafigura muestra un amplificador en emisor común con polarización utilizando un divisor de voltaje y capacitores de acoplamiento y en la entrada y salida, y un capacitor de puenteo, del emisor a tierra.
Ganancia de voltaje
La expresión de ganancia de voltaje en CA para el amplificador en emisor común se desarrolla utilizando el circuito modelo mostrado en la figura.
La ganancia es el cociente deun voltaje de salida de CA en el colector () entre el voltaje de entrada de CA en la base ().
Observe en la figura que y Por consiguiente,
Los términos se cancelan, por tanto
La ecuación es la ganancia de voltaje de la base al colector.
Ganancia de corriente
La ganancia de corriente de la base al colector es o . Sin embargo, la ganancia de corriente total del amplificador en...
UNIVERSIDAD TÉCNICA DE MANABÍ
DEPARTAMENTO DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
CARRERA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
TRABAJO DE:
ELECTRÓNICA BÁSICA
TEMA:
AMPLIFICADORES CON BJT
AUTORES:
PALMA ALAVA JIMMY ALEXIS
AGUILAR MOREIRA BYRON
PILLIGUA MENENDEZ LIDER
SANCHEZ ZAMBRANO JOSE DIEGO
NIVEL:
QUINTO “A”
PROFESOR:
ING. MAURO LOOR
Fecha:
26 DE ENERO DEL 2015
Tema:¨Amplificadores con BJT¨
OBJETIVOS
Objetivo General:
Conocer los diferentes tipos de amplificadores básicos con BJT, su funcionamiento y características.
Objetivos específicos:
Analizar la operación de amplificadores en emisor común.
Describir la operación de amplificadores en colector común.
Saber cómo funcionan los amplificadores en base común.Amplificadores con BJT
El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico semiconductor de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, lo cual permite controlar el paso dela corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades, y son de gran utilidad ya quécumplen funciones como amplificador; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y generalmente se usan en la electrónica analógica.
Estructura
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región delcolector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar “dopada”, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que este terminal funciona comoemisor de portadores de carga.
Base: la de posición intermedia y muy estrecha, la cual separa el emisor del colector.
Colector: de extensión mucho mayor.
Transistor de unión bipolar NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de lostransistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Transistor de unión bipolar PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentesregiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
El amplificador en emisor común
La configuración en emisor común (EC) tiene al emisor como terminal común, o tierra, ante una señal de CA. Los amplificadores en EC tienen una alta ganancia de voltaje y una alta ganancia de corriente.
Lafigura muestra un amplificador en emisor común con polarización utilizando un divisor de voltaje y capacitores de acoplamiento y en la entrada y salida, y un capacitor de puenteo, del emisor a tierra.
Ganancia de voltaje
La expresión de ganancia de voltaje en CA para el amplificador en emisor común se desarrolla utilizando el circuito modelo mostrado en la figura.
La ganancia es el cociente deun voltaje de salida de CA en el colector () entre el voltaje de entrada de CA en la base ().
Observe en la figura que y Por consiguiente,
Los términos se cancelan, por tanto
La ecuación es la ganancia de voltaje de la base al colector.
Ganancia de corriente
La ganancia de corriente de la base al colector es o . Sin embargo, la ganancia de corriente total del amplificador en...
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