Tarea de conductores y tipos de simbolos automotrices

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Materiales semiconductores
Los semiconductores son materiales cuya conductancia eléctrica puede ser controlada de forma permanente o dinámica variando su estado desde conductor a aislante.
Debido asu uso en dispositivos tales como los transistores (y por tanto en computadoras) y en los láseres, la búsqueda de nuevos materiales semiconductores y la mejora de los materiales existentes es unimportante campo de estudio en la ciencia de materiales.
Lista de materiales semiconductores
Grupo IV
• Elementos del Grupo IV. Semiconductores elementales
o Diamante (C)
o Silicio (Si)
oGermanio (Ge)
• Elementos del Grupo IV. Semiconductores compuestos
o Carburo de silicio (SiC)
o Silicio-germanio (SiGe)
Grupo III-V
• Semiconductores con elementos de los grupos III y V
oAntimoniuro de aluminio (AlSb)
o Arseniuro de aluminio (AlAs)
o Nitruro de aluminio (AlN)
o Fosfuro de aluminio (AlP)
o Nitruro de boro (BN)
o Fosfuro de boro (BP)
o Arseniuro de boro (BAs)
oAntimoniuro de galio (GaSb)
o Arseniuro de galio (GaAs)
o Nitruro de galio (GaN)
o Fosfuro de galio (GaP)
o Antimoniuro de indio (InSb)
o Arseniuro de indio (InAs)
o Nitruro de indio (InN)o Fosfuro de indio (InP)
• Aleaciones triples con elementos de los grupos III y V
o Arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs, AlxGa1-xAs)
o Arseniuro de galio-indio (InGaAs, InxGa1-xAs)
o Fosfurode galio-indio (InGaP)
o Arseniuro de indio-aluminio (AlInAs)
o Antimoniuro de indio-aluminio (AlInSb)
o Nitruro de galio-arsenico (GaAsN)
o Fosfuro de galio-arsenico (GaAsP)
o Nitruro degalio-aluminio (AlGaN)
o Fosfuro de galio-aluminio (AlGaP)
o Nitruro de galio-indio (InGaN)
o Antimoniuro de indio-arsenico (InAsSb)
o Antimoniuro de galio-indio (InGaSb)
• Aleacionescuádruples con elementos de los grupos III y V
o Fosfuro de aluminio-galio-indio (AlGaInP, o InAlGaP, InGaAlP, AlInGaP)
o Fosfuro de aluminio-galio-arsénico (AlGaAsP)
o Fosfuro de indio-galio-arsénico...
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