Tbj resistencia y capacitancia de entrada

Resistencia y Capacitancia de Entrada
Resistencia y Capacitancia de Entrada.- Un JFET opera con la juntura compuerta-fuente polarizada inversamente, por lo tanto, la resistencia de entrada a lacompuerta es muy alta. Esta alta resistencia de entrada es una ventaja de JFET sobre el transistor bipolar. La hoja de datos del JFET a veces especifica la resistencia de entrada dando un valor para lacorriente inversa de la compuerta IGSS para cierto voltaje de compuerta-a-fuente. Entonces, la resistencia de entrada se puede determinar mediante la siguiente ecuación:
Rin=VGSIGS Impedancia deentrada

La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.

Ejemplo:
La hoja de datos del 2n5457(JFET canal-n) indica que IGSS(max)=1nA, para VGS= -15v a 25º C. IGSS Incrementa con la temperatura, entonces la resistencia de entrada decrece. CISS resulta de la operación del JFET con junturapolarizada inversamente actúa como un capacitor cuya capacitancia depende de la cantidad de voltaje inverso. Por ejemplo: el 2N5457 tiene una CISS(max)de 7pF para un VGS= 0v

En comparación con untransistor de unión regular (NPN o PNP), lo que demuestra la importancia de tener una alta impedancia de entrada (más de megohmio), lo que hace que algunos accesorios interesantes (etapa de la entrada de unreceptor de radio, detector de estática ...). En concreto, la resistencia de entrada es la resistencia de la salida de la ensambladura de la puerta-fuente (GS) en polarización negativa reverso. Lacapacidad de entrada del transistor es pequeño (un picofaradios pocos). Esta resistencia de entrada de alta y baja capacidad de entrada para dar a transistores de efecto de campo de característicassimilares a las de los tubos de vacío.
La recepción de radio en los intereses de los transistores de efecto de campo es:
- Mejora de trazado de circuito de selectividad asociados.
- Mejor figura de...