Tema 1 Tecnología de Fabricación de CI .
1.1 Introducción. Obtenciónde obleas para circuitos integrados. 1.1.1 Purificación del substrato1.1.2 Crecimiento en volumen 1.1.3 Cortado, limpiado y pulido 1.2Tecnología planar de silicio: Procesos básicos para la fabricación de circuitosdigitales. 1.2.1 Proceso de Oxidación térmica. 1.2.2 Proceso de litografíay grabado 1.2.3 Impurificación (adición de dopantes) 1.2.4 Formación decapas delgadas (Deposiciones y Epitaxia) 1.3 Secuencia de fabricaciónde un CMOS pozo n 1.4 Escalas de integración: LSI, VLSI, ULSI.

1.1Introducción. Obtención de obleas para circuitos integrados. (Unidad deaprendizaje 1)

En este tema estudiaremos como se hace un Circuito Int [continua]

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(2010, 08). Tecnologías de fabricación de circuitos integrados. BuenasTareas.com. Recuperado 08, 2010, de http://www.buenastareas.com/ensayos/Tecnolog%C3%ADas-De-Fabricaci%C3%B3n-De-Circuitos-Integrados/590434.html

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