Temario fisica 4

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1.- DATOS DE LA ASIGNATURA Nombre de la asignatura: Física IV (Física de Semiconductores) Carrera: Ingeniería Electrónica Clave de la asignatura: ECC-0421 Horas teoría-horas práctica-créditos 4–2–10

2.- HISTORIA DEL PROGRAMA Lugar y Fecha de Participantes Elaboración o Revisión Representante de las Instituto Tecnológico de academias de ingeniería Orizaba, del 25 al 29 de electrónica de losagosto del 2003. Institutos Tecnológicos. Institutos Tecnológicos de Aguascalientes, Mexicali, Oaxaca, Los Mochis y Tijuana, de septiembre a noviembre del 2003 Instituto Tecnológico de Mexicali, del 23 al 27 de febrero 2004 Academias de Ingeniería Electrónica. Observaciones (Cambios y Justificación) Reunión Nacional de Evaluación Curricular de la Carrera de Ingeniería Electrónica. Análisis yenriquecimiento de las propuestas de los programas diseñados en la reunión nacional de evaluación Definición de los programas de estudio de la carrera de Ingeniería Electrónica.

Comité de consolidación de la carrera de Ingeniería Electrónica.

3.- UBICACIÓN DE LA ASIGNATURA

a). Relación con otras asignaturas del plan de estudio Anteriores Asignaturas Química Temas - Teoría Cuántica y estructuraatómica. - Elementos Químicos y su clasificación. - Enlace Químico -Aplicaciones de la derivada e Integral Asignaturas Electrónica Analógica I Posteriores Temas - Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efecto de Campo - Fotodiodo, fototransistor, diodo laser SCR, TRIAC

Optoelectrónica

Matemáticas I y II

Electrónica de Potencia

b). Aportación de la asignatura al perfil delegresado Conocer sobre construcción y funcionamiento de dispositivos electrónicos que le permitirán al alumno diseñar, analizar, adaptar, construir sistemas y equipos electrónicos 4.- OBJETIVO GENERAL El estudiante conocerá las características y comportamiento de los materiales semiconductores y su aplicación en la construcción de diodos y transistores

5.- TEMARIO Unidad Temas 1 Fundamentos desemiconductores Subtemas 1.1 El estado cristalino, redes cristalinas y crecimiento de cristales en Semiconductores 1.2 Materiales semiconductores 1.3 Modelo de Enlace Covalente 1.4 Materiales intrínsecos, materiales extrínsecos 1.5 Modelo de Bandas de energía 1.6 Distribución de Fermi Dirac y distribución de Maxwell- Boltzman 1.7 Nivel de Fermi en materiales intrínsecos y extrínsecos 1.8Conductividad, movilidad, proceso de difusión 1.9 Ecuaciones de continuidad 2.1 2.2 Semiconductor P y semiconductor N Unión P-N en estado de equilibrio 2.2.1 Potencial de contacto 2.2.2 Campo eléctrico 2.2.3 Zonas de vaciamiento 2.2.4 Carga almacenada 2.2.5 Capacitancia Condiciones de polarización 2.3.1 Polarización directa 2.3.2 Polarización inversa Fenómenos de ruptura 2.4.1 Ruptura por multiplicación oavalancha 2.4.2 Ruptura Zener Técnicas de fabricación de dispositivos de unión. Diodo rectificador Diodo Zener Diodo Túnel Diodo varactor Diodo PIN Diodo Schottky Dispositivos ópticos 3.7.1 Fotodiodo 3.7.2 Diodo emisor de luz 3.7.3 Diodo laser 3.7.4 Celda fotovoltaica 3.7.5 Fotorresistencias

2

Unión PN

2.3 2.4

2.5 3 Dispositivos de unión 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7

5.- TEMARIO(Continuación) Unidad Temas 4 Dispositivos bipolares y monopolares Subtemas 4.1 Dispositivos bipolares 4.1.1 1Funcionamiento del transistor BJT 4.1.2 Polarización del transistor bipolar BJT 4.1.3 Aplicaciones básicas 4.2 Dispositivos monopolares 4.2.1 Estructura y construcción de los FET 4.2.2 Funcionamiento del FET 4.2.3 Funcionamiento del MOSFET

6.- APRENDIZAJES REQUERIDOS. • • • • Aplicar losconceptos de enlace químico en sólidos cristalinos Manejar la tabla periódica de los elementos químicos Aplicar los conceptos de conductividad, campo eléctrico, potencial eléctrico densidad de corriente en diversos materiales. Aplicar los conceptos de Derivada e Integral

7.- SUGERENCIAS DIDÁCTICAS • • • • • • • Propiciar el razonamiento de los fenómenos y leyes que explican el comportamiento de los...
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