Teoria De Semiconductores

Páginas: 4 (874 palabras) Publicado: 14 de marzo de 2013
Tema 1: Teoría de Semiconductores

INDICE
1. Semiconductor intrínseco 2. Conducción por huecos (h+) y electrones (e-) 3. Semiconductor extrínseco: material tipo N (MTN) y tipo P (MTP) 4. Deriva ydifusión de portadores 5. La unión P-N: polarización inversa (PI) y polarización directa (PD) 6. Comportamiento de la unión P-N en altas frecuencias: Capacidad de Transición (Cj) y Capacidad deDifusión (Cdif).

Electrónica Analógica

1º Licenciatura en Radioelectrónica Naval 1

Tema 1: Teoría de Semiconductores

GENERALIDADES

Tipos de materiales:
A) Conductor B) Aislante C) Semiconductor

Tiposde semiconductores: Tipos de semiconductores extrínsecos: Corrientes en un semiconductor:
A) Producida por eB) Producida por h
+

A) Intrínseco: origen natural B) Extrínseco: origen antropológico A)Tipo N: donante de eB) Tipo P: donante de h+



Corriente total

Corrientes en la unión P-N Capacidades en la unión P-N
A) Capacidad de transición B) Capacidad de difusión A) Sin polarizar: deriva ydifusión B) Polarizada: PD y PI

Electrónica Analógica

1º Licenciatura en Radioelectrónica Naval 2

Tema 1: Teoría de Semiconductores

SEMICONDUCTOR INTRINSECO •Materiales: Si, Ge, GaAs.•Estructura Si: retícula formada por enlaces covalentes .

CONDUCCIÓN POR ELECTRONES •Electrón libre : generado al romperse un enlace a una Tª>27ºC. •V à corriente de electrones CONDUCCIÓN POR HUECOS •Hueco:generado a partir del e- libre, carga positiva.

Electrónica Analógica

1º Licenciatura en Radioelectrónica Naval 3

Tema 1: Teoría de Semiconductores

•Concentración de h+ y e- serán iguales: ni=pi•V à corriente de huecos GENERACION Y RECOMBINACIÓN •Generación: de e- y h+ directamente proporcional a la Tª. •Recombinación: los h+ serán ocupados por los e- que pasen cerca. Aumenta con mayoresconcentraciones de e- y h+ à Tª •Tiempo de vida (τ): tiempo que “ viven” los portadores hasta que se recombinan. •Ley de acción de masas: p * n = cte à Semiconductor intrínseco p=n à p*n = ni2 LA...
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