tipos de dispositivos primarios
DRAM: (Dinamic-RAM, o RAM DINAMICA)
Fast Page (FPM): (a veces llamada DRAM (o sólo "RAM")
EDO: (EDO-RAM)
SDRAM: (Sincronic-RAM)
ENTRE LAS MEMORIA CACHE ESTAN:Nivel 1 (L1): Conocido como caché interno, es el nivel más cercano a la CPU (está en el mismo núcleo) con lo que el acceso se produce a la velocidad
Nivel 2 (L2): Conocido como caché externo,inicialmente se instalaba en la placa base (en el exterior de la CPU).
Nivel 3 (L3): Se encuentra en algunas placas base, procesadores y tarjetas de interfaz.
Nivel 4 (L4): Se encuentra ubicado enlos periféricos y en algunos procesadores como el Itanium.
ENTRE LAS MEMORIA ROM
ROM: (memoria inalterable)
PROM: (memoria inalterable programable)
EPROM: (memoria inalterableprogramableborrable)
EEPROM: (electricamente memoria inalterable programable borrable)
ENTRE LAS MEMORIA RAM ESTAN:
DRAM: (Dinamic-RAM, o RAM DINAMICA)
Fast Page (FPM): (a veces llamada DRAM (o sólo"RAM")
EDO: (EDO-RAM)
SDRAM: (Sincronic-RAM)
ENTRE LAS MEMORIA CACHE ESTAN:
Nivel 1 (L1): Conocido como caché interno, es el nivel más cercano a la CPU (está en el mismo núcleo) con lo que el accesose produce a la velocidad
Nivel 2 (L2): Conocido como caché externo, inicialmente se instalaba en la placa base (en el exterior de la CPU).
Nivel 3 (L3): Se encuentra en algunas placas base,procesadores y tarjetas de interfaz.
Nivel 4 (L4): Se encuentra ubicado en los periféricos y en algunos procesadores como el Itanium.
ENTRE LAS MEMORIA ROM
ROM: (memoria inalterable)
PROM:(memoria inalterable programable)
EPROM: (memoria inalterableprogramable borrable)
EEPROM: (electricamente memoria inalterable programable borrable)
ENTRE LAS MEMORIA RAM ESTAN:DRAM: (Dinamic-RAM, o RAM DINAMICA)
Fast Page (FPM): (a veces llamada DRAM (o sólo "RAM")
EDO: (EDO-RAM)
SDRAM: (Sincronic-RAM)
ENTRE LAS MEMORIA CACHE ESTAN:
Nivel 1 (L1): Conocido como caché interno,...
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