Tiristor

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Elementos Semiconductores de Potencia

Cuenca-Ecuador
Email: cabrera_hueso@yahoo.com

Abstract. This work has been observed that in the power semiconductors are obtained depended advantages anddisadvantages but the use to which it will give so becomes very useful, also has been the driving and blocking parameters, likewise the graphics that allow us to examine the behavior of semiconductorsin this case would be the power diodes

1 Introducción
En este trabajo se verá sobre los elementos semiconductores de potencia que como su nombre lo indica trabajan solo con potencia es decir quetrabajan con altos voltajes y altas corrientes, los semiconductores de potencia son un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo común, pero que rectifica altas tensiones
El elementorectificador de potencia más común es el diodo de potencia. Las características de los diodos de potencia son, en general, similares a las de los diodos normales, idealmente presenta dos estados biendiferenciados: corte y conducción. El paso de un estado a otro no se realiza de forma instantánea y en dispositivos en los que el funcionamiento se realiza a elevada frecuencia, es muy importante el tiempode paso entre estados, puesto que éste acotará las frecuencias de trabajo.
Los márgenes de funcionamiento, pueden llegar a soportar corrientes medias superiores a los 1.500 A llegando hasta tensionesinversas superiores a los 2.000 V. El único procedimiento de control posible, es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
2 Características del diodo
2.1 Modelos estáticos del Diodo

2.2Estructura básica del diodo de 3 capas

La estructura de 3 capas permite
a) En polarización inversa: la unión formada por las capas p+n- al estar poco dopada soporta una tensión muy elevada.

b) Enpolarización directa: la circulación de electrones desde la capa n+ inunda de electrones la capa n- con lo que desde el punto de vista de la caída en conducción es equivalente a un diodo muy dopado.
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