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UNIVERSIDAD CATÓLICA DE LA SANTÍSIMA CONCEPCIÓN INSTITUTO TECNOLOGICO LOS ÁNGELES

GUÍA DE EJERCICIOS 1 ELECTRÓNICA INDUSTRIAL (MCT-220) 1. Obtenga la ecuación característica de un diodo de Silicioque posee los siguientes parámetros: IS = 10 [nA] n = 1.5 VT = 25.8 [mV]

2. Usando la ecuación obtenida en (1) obtenga la curva estática característica ID vs VD. Para eso utilice la siguientetabla de valores:
VD [V] ID 0 0.1 0.3 0.5 0.51 0.53 0.55 0.57 0.59 0.60

Nota: Indicar los valores de corriente en la unidad más adecuada ([A], [mA], [A], etc.)

3. Utilizando la curvacaracterística obtenida en (2) indique: a) ¿Cuál es el valor de voltaje umbral del diodo? (R: 0.5 [V]) b) ¿Qué valor aproximado de corriente circula por el diodo cuando el voltaje aplicado es de 0,58 [V]? (R: 7.5[A]) c) Verificar el valor obtenido utilizando la ecuación característica. (R: 7.51 [A])

4. Utilizando la ecuación característica obtenida en (2) determine para qué valor de voltaje aplicado en eldiodo se obtiene una corriente de 70 [A]. (R: 643,3 [mV])

5. Para un rectificador de onda completa, si el voltaje aplicado a una carga R de 220 [Ω] es: vf(t)=Vmsenωt, donde Vm=5 [V], f=100 [Hz],calcule: a) El voltaje efectivo (R: 3.54 [V]) b) La eficiencia (R: 81%) c) Dibuje la señal aplicada al circuito y la señal rectificada.

Técnico Universitario en Automatización Industrial

IISemestre 2012

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6. Utilizando el gráfico de la característica dinámica de un diodo calcule el tiempo trr quele toma pasar del estado de conducción directa a bloqueo inverso. (R: 3 [s])

7. Para el circuito de la figura:

Si: VB=3 [V], VCC=12 [V], Transistor de Silicio a) Calcule IB, IC, IE, VBE, VCE,VCB cuando β=130, RB=20 [kΩ] y RC=330 [Ω]. (R: IB=115 [A], IC=15 [mA], IE=15.07 [mA], VCE=7.05 [V], VBE=0.7 [V], VCB=6.35 [V])

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II Semestre...