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Páginas: 2 (492 palabras)
Publicado: 8 de agosto de 2010
INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL
“FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)”
El FET es un dispositivo de 3 terminales, el cual se asemeja al transistor bipolar, la diferencia básicaentre estos 2 transistores es que el transistor bipolar es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el FET es controlado por voltaje.
El FET cuenta con transistores de canal n y canal p,cabe señalar que el FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente de la conducción, es decir, de electrones (canal n) o de huecos (canal p).
Las 3 terminales del FET son denominadas comopuerta (gate), drenador (drain) y fuente (source); es a la puerta por donde se transmite el voltaje a partir de ahí fluirá corriente entre el drenador y la fuente, a este paso de corriente se le llamacanal. Cuando se aumenta el voltaje que entra por la puerta y la barrera de potencial se hace mas grande, se va cerrando el canal, es importante señalar que el canal no va a cerrar totalmente, estorecibe el nombre de estrechamiento, el transistor se mantendrá así hasta alcanzar una corriente constante, es decir, una corriente de saturación, también es importante mencionar que el FET se comportacomo una resistencia variable en la región óhmica y que el Vp es el voltaje de estrechamiento del FET.
A continuación se mostrara una imagen del interior del FET para que se pueda entender de mejormanera la descripción del funcionamiento mencionado:
“FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (MOSFET)”
El MOSFET se divide en dos tipos dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje;tipo nMOS el cual es de sustrato de tipo p y difusiones de tipo n y el tipo pMOS el cual es un sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
En el MOSFET las áreas de difusión se denomina fuente y drenadory el conductor entre ellos es la puerta.
El MOSFET cuanta con tres estados de funcionamiento:
* Estado de Corte
Es cuando ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque se aplique una...
“FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)”
El FET es un dispositivo de 3 terminales, el cual se asemeja al transistor bipolar, la diferencia básicaentre estos 2 transistores es que el transistor bipolar es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el FET es controlado por voltaje.
El FET cuenta con transistores de canal n y canal p,cabe señalar que el FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente de la conducción, es decir, de electrones (canal n) o de huecos (canal p).
Las 3 terminales del FET son denominadas comopuerta (gate), drenador (drain) y fuente (source); es a la puerta por donde se transmite el voltaje a partir de ahí fluirá corriente entre el drenador y la fuente, a este paso de corriente se le llamacanal. Cuando se aumenta el voltaje que entra por la puerta y la barrera de potencial se hace mas grande, se va cerrando el canal, es importante señalar que el canal no va a cerrar totalmente, estorecibe el nombre de estrechamiento, el transistor se mantendrá así hasta alcanzar una corriente constante, es decir, una corriente de saturación, también es importante mencionar que el FET se comportacomo una resistencia variable en la región óhmica y que el Vp es el voltaje de estrechamiento del FET.
A continuación se mostrara una imagen del interior del FET para que se pueda entender de mejormanera la descripción del funcionamiento mencionado:
“FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (MOSFET)”
El MOSFET se divide en dos tipos dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje;tipo nMOS el cual es de sustrato de tipo p y difusiones de tipo n y el tipo pMOS el cual es un sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
En el MOSFET las áreas de difusión se denomina fuente y drenadory el conductor entre ellos es la puerta.
El MOSFET cuanta con tres estados de funcionamiento:
* Estado de Corte
Es cuando ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque se aplique una...
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