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TP Nº1 Curvas características MOSFET BS107

Condiciones del trabajo:
o Grupos de dos o tres estudiantes.
o Vencimiento de la entrega 6/10.
o Plazo de corrección de 10 días, y en caso de ser necesario se devolverá para ser corregido una única vez, con un plazo de re-entrega máximo de 10 días.
o El trabajo deberá ser claro, conciso y correctamente redactado.
o Losgráficos y tablas deberán llevar títulos y estar numerados (Por ejemplo: Fig. 1)
o El trabajo completo, incluyendo la carátula o primera página, deberá tener 10 páginas o menos, y debe utilizarse tipografía Arial 10.
o No es necesaria una carátula en una hoja aparte: en la primera página, además del nombre de los autores, los datos del curso y el resumen, puede presentarse también parte de loscontenidos del trabajo.

Objetivos del trabajo:
o Analizar las principales características de baja frecuencia de un transistor MOS.
o Comparar los resultados obtenidos en forma experimental con los obtenidos mediante PSPICE y los valores correspondientes a las hojas de datos.

a) Resumen del trabajo

El trabajo deberá estar encabezado por un breve resumen (menos de 100 palabras)que detalle su contenido. El resumen debe ser escrito de forma tal de despertar el interés y la curiosidad del lector por el trabajo.

b) Obtener mediante PSPICE las siguientes curvas correspondientes al transistor BS107 de la librería “PHIL_FET”:

o ID vs. VGS para VDS=5V
o ID vs. VDS para VGS=2V y VGS=2.25V

Listar los parámetros principales empleados en cada simulación ydibujar los circuitos correspondientes.

c) Obtener en forma experimental las mismas curvas que en el punto ‘b’

Deben relevarse las curvas de al menos tres transistores diferentes y evaluar si existen diferencias entre ellos. Si existen diferencias cuantificarlas. Detallar los circuitos experimentales utilizados.

IMPORTANTE: el banco experimental a utilizar sólo dispondrá de una fuentede tensión variable 6V-15V, un amperímetro (sin fusible) y un voltímetro. Por lo tanto, se sugiere:

• En la medición de la curva ID vs. VGS utilizar el regulador de tensión LM7805 para obtener VDS=5V, y obtener las distintas tensiones VGS mediante divisores resistivos o potenciómetros a partir de la fuente de tensión variable, como se ilustra en la Fig 1.
• En la medición de curvas deID vs. VDS utilizar el regulador de tensión LM7805 y divisores resistivos o potenciómentos para obtener VGS constante, y emplear la fuente de tensión variable y una resistencia conectada al terminal “drain” tal que pueda medirse el “codo de la curva” y la región de ID constante. (ver Fig. 2 y ver Apéndice)
• Emplear cable telefónico y un “protoboard” para armar los circuitos experimentales.Traer los transistores, resistores y capacitores que vaya a utilizar en los ensayos. Traer fusibles de 500mA para el amperímetro, porque en el laboratorio no hay fusibles de repuesto y es probable que durante los ensayos queme varios fusibles.
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Fig. 1: Circuito sugerido para la medición de la curva ID vs. VGS del BS107

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Fig. 2: Circuito sugerido para la medición de la curva ID vs.VDS del BS107
y esquema del resultado que se espera de obtener

d) Obtener de las hojas de datos de los transistores las mismas curvas que en el punto ‘b’

Deben utilizarse al menos dos hojas de datos (‘datasheet’) diferentes. Una de las hojas de datos debe coincidir con el transistor utilizado en las mediciones experimentales. Determinar si existen diferencias importantes entre lasdistintas hojas de datos.

e) Comparar los resultados experimentales, los obtenidos mediante simulación y los correspondientes a las hojas de datos.

• En las curvas ID vs VGS ajustar los resultados mediante la expresión ID=k*(VGS-VT)2, y detallar los valores de k y VT obtenidos.
• En la región de saturación de las curvas ID vs VDS ajustar los resultados mediante la expresión ID=...
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