trabajo de igbt

INTRODUCCION.

Durante muchos años el sector de la electrónica de potencia ha centrado su investigación en el desarrollo de componentes capaces de alcanzar grandes velocidades de conmutación y grandes cargas y que fueran sustitutivos de las tecnologías anteriores que, para ciertas aplicaciones, ya habían quedado obsoletas -como es el caso del transistor bipolar BJT (Bipolar JunctionTransistor-, los MOSFET y de los VDMOS (DMOSFET vertical). Para ello, los investigadores han combinado desde hace más de dos décadas las posibilidades de los transistores bipolares y los denominados MOSFET, un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS (Metal Oxide Semiconductor).

De esta combinación nace en los años 80, IGBT (del inglés, Insulated Gate Bipolar Transistor) como undispositivo semiconductor de gran capacidad que generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de electrónica realmente potentes y con velocidades de conmutación de hasta 20 KHz. Aunque no seamos conscientes de ello, los IGBT nos acompañan en todo momento y han sido claves en el desarrollo de la electrónica de potencia. Sus aplicaciones principales se centran en los sectores de:control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de soldadura, iluminación de baja frecuencia y alta potencia. Están presentes en la circuitería de los automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero también de los electrodomésticos del hogar mediante la interconexión de diversos IGBT que controlan los motores eléctricos. Dichos transistores IGBT son la últimageneración en el campo de los dispositivos de conmutación para alta tensión que combina los atributos del BJT y del MOSFET. La combinación de una puerta aislada tipo MOS y un colector/emisor bipolar le permite conmutar tensiones y corrientes mucho mayores. El flujo de corriente se controla a través de una fuente de tensión de alta impedancia que permite que se puedan controlar intensidades elevadascon una potencia de control muy baja. De hecho, uno de los éxitos de IGBT es su baja necesidad de energía de control para pasar del modo conducción al modo bloqueo y viceversa.

En resumidas cuentas para variar la velocidad de los motores de corriente alterna, por ejemplo los que llevan incorporados algunos electrodomésticos, lo que se hace es alterar la frecuencia y amplitud de las ondassenoidales que mueven los arrollamientos de dicho motor. Es decir, el motor girará con la misma frecuencia que dichas ondas que pueden crearse mediante diversos IGBT interconectados. La estructura de estos transistores es bastante compleja pero de muy reducidas dimensiones, de tamaño aproximado a un sello de correos. Básicamente podríamos decir que es similar a la estructura de un MOSFET a la que seañade un nuevo sustrato P como material semiconductor debajo de la zona N epitaxia. Esto otorga a IGBT una capacidad de conducción ambipolar. Durante sus primeros años IGBT tuvo que hacer frente a un problema de latch-up que normalmente producía que el dispositivo se destruyera térmicamente que se solucionó mediante la modificación del dopado y la profundidad del sustrato.



Los IGBT acumulan lamayor parte del mercado de componentes de potencia para aplicaciones de media y alta tensión, no sólo por su capacidad de potencia sino también porque son tan rápidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles por el oído humano. Esta particularidad los ha hecho especialmente interesantes para el desarrollo de los sistemas de aire acondicionado, frigoríficos, lavavajillas,ect., en los que los consumidores son especialmente sensibles al ruido que emiten. La mayor parte de los ruidos de los compresores procede de la utilización de transistores no demasiado rápidos y que sólo se activan y desactivan en frecuencias audibles por las personas. Pero las aplicaciones de IGBT van mucho más allá del control de motores. Algunos fabricantes de tecnologías de consumo ya los...