Trabajos de Investigacion ELPO 2015 03
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRONICA
SEGUNDO SEMESTRE DE 2015
TRABAJO ESCRITO Nº1: DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES EN ELECTRONICA DE POTENCIA1_ Comparación entre los Diodos de propósito general, Diodos de recuperación rápida y Diodos de carburo de silicio.
2_ Tiristores: SCR, TRIAC, DIAC, GTO, MCT.
3_ Relés de estado sólido y módulosinteligentes basados en tiristores (SSR, Thyristor Intelligent Modules).
4_ Drivers para disparo de tiristores: acople directo.
5_ Drivers para disparo de tiristores: transistor monojuntura UJT.
6_ Driversaislados para disparo de tiristores: transformadores de pulso, y ópticos (opto-triacs).
7_ Drivers Integrados (IC) para control de tiristores, funcionamiento, sincronización y ejemplos.
8_Snubbers yDiseño de Snubbers, para tiristores.
9_ Transistores de conmutación:
BJT, MOSFET, IBGT,
10_ MODULOS INTELIGENTES (IGBT Intelligent Modules).
11_ Drivers para disparo de transistores BJT, MOSFET,IGBT: acople directo, push-pull, booster, bootstrap.
12_ Drivers para disparo de transistores BJT, MOSFET, IGBT: transformadores de pulso, y drivers Ópticos.
13_ Drivers para disparo de transistores BJT,MOSFET, IGBT: drivers integrados (IC), funcionamiento y ejemplos.
14_Snubbers y Diseño de Snubbers, para Transistores.
15_ Bibliografía y uso de las referencias bibliográficas en interior deldocumento.
UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRONICA
SEGUNDO SEMESTRE DE 2015
TRABAJO ESCRITO Nº2: INDUCTORES, CONDENSADORES y BATERIAS EN ELECTRONICADE POTENCIA
1_ Tipos de núcleos según el tipo de material y Tipos de núcleos según la forma.
2_ Definiciones:
3a_Máxima densidad de flujo (Bmax)
3b_ Inductancia (L)
3c_ área de la ventana (Aw)
3d_constante geométrica del núcleo (Kg)
3_ Diseño de inductores para onda cuadrada y onda senoidal.
4_ Pérdidas de potencia: Pérdidas en el núcleo y pérdidas en el cobre.
5_ TIPOS DE CONDENSADORES:...
Regístrate para leer el documento completo.