Transistor bipolar

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  • Publicado : 9 de marzo de 2011
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Introducción
El transistor bipolar, conocido en el ingles por el acrónimo BJT ( Bipolar Junction Transistor, transistor bipolar de unión) es uno de los dispositivos mas utilizados en los circuitos electrónicos. El nombre de transistor procede de la condensación de dos vocablos ingleses, transfer y resistor, y hace referencia al hecho de que la corriente que circula entre dos terminales estacontrolada por una señal aplicada al tercer terminal; el termino bipolar es debido al hecho de que la corriente es transportada por portadores de ambas polaridades: electrones y huecos. La electrónica moderna, basada en circuitos integrados (CI) se inicio de hecho con el descubrimiento de este dispositivo. Actualmente, sigue siendo el dispositivo amplificador por excelencia, y el que mas se emplea enlos CI analógicos.

Objetivos Objetivos Generales

 Observar el comportamiento del transistor bipolar, PNP y NPN. Objetivos Específicos  Realizar el montaje de dos circuitos:  Configuración Emisor Común.  Configuración Base Común.  Realizar las graficas de las zonas de funcionamiento.

Materiales y Equipos requeridos

 1 Transistor (PNP) 2N3906  1 Transistor (NPN) 2N3904  6Resistencias ( 2.2k, 2.7k, 3.3k, 3.9k, 10k, 27k).  1 Voltímetro Digital  1 Microamperimetro  1 Fuente de Voltaje  1 Miliamperimetro  1 Protoboard  Cables de Conexión

Marco teórico

El transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), es un dipositivo electrónico que cumple funciones como: Amplificador, oscilador, conmutador y rectificador. Cuenta con 3 terminales que reciben los nombres de Base,Emisor y Colector.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente. La base ha de ser muy estrecha ypoco dopada, para que tenga lugar poca recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector, como veremos más adelante. Además, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposición se tratase. • El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características deesta región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor.

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grafico de cada tipo de transistor.

TransistorNPN

Transistor PNP

Tipos de Transistor de Unión Bipolar
NPN Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en ladirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

PNP Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctricaexterna. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

Regiones operativas del transistor Los transistores de unión bipolar...
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