Transistor bjt
Joaquín Vaquero López
Electrónica, 2007
Joaquín Vaquero López
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Transistor Bipolar (BJT): Índice
4.1) Introducción a los elementos de 3 terminales
4.2) Transistor Bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor): Estructura. Efecto transistor. Circuito simple de un transistor.
4.3) Zonas de funcionamiento. Curvas características V-I. Polarización.Modelos.
4.4) Configuraciones. Emisor Común, Colector Común y Base común 4.5) Aplicaciones. Transistor real.
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Introducción a los elementos de 3 terminales
Hasta ahora se han visto componentes de 2 terminales, con una curva característica V-I. Los componentes de 3 terminales tienen 3 pares de posibles curvas características V-I. Dos de ellasson suficientes para definir el componente. Esas dos curvas características son la curva V-I de entrada y la curva V-I de salida. La curva característica V-I de salida es un conjunto de curvas en función de uno de los parámetros de entrada.
Entrada
ie is
Salida
Componente de 3 terminales
ve vs
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Introducción a los elementos de 3terminales
Ejemplo: Transistor bipolar BJT
Curva característica V-I de entrada
Curva característica V-I de salida
Conjunto de curvas dependiendo del parámetro de entrada Ib (Curvas paramétricas)
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Introducción a los elementos de 3 terminales
Componentes de 3 terminales: BJT: Fuente de corriente (salida) controlada por corriente (entrada).Ganancia de corriente. Terminales: Base, Emisor y Colector
vBC ib ic
FET: Fuente de corriente (salida) controlada por tensión (entrada). Transconductancia (gm). Terminales: Puerta, Drenador y Fuente
vGD ig id
B
BJT
C
G
FET
D
vBE
vCE
vGS
vDS
ie
is
E
S
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Introducción a los elementos de 3 terminalesClasificación de los componentes de 3 terminales. npn BJT pnp
Canal p JFET Canal n FET MOSFET Deplexión Enriquecimiento
Canal p Canal n
Canal p Canal n
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Transistor bipolar BJT
Estructura y símbolo del transistor. npn y pnp Terminales: Base, Emisor y Colector. Componente asimétrico.
C iB iC
E
N
P B
N
C
B E iE
C iB iC
EP
N B
P
C
B E iE
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Transistor bipolar BJT
Estructura del transistor. npn
Emisor muy dopado. Base muy fina y poco dopada.
Con la unión Base-Emisor polarizada directamente (VBE > VT) los electrones (mayoritarios) alcanzan el Colector a través de la Base muy fina. La unión Base-Colector se polariza inversamente, de manera queayuda al movimiento de los electrones provenientes del Emisor (minoritarios en una unión p-n polarizada en inversa). VBE VBC
- + - +
Al igual que en los diodos:
iC
Emisor Base Colector
iE E B
iB C
iE I EO (evBE /VT 1)
Las corrientes en el transistor:
n+ pHuecos n
iC iE
i E iC i B
iB (1 ) iE
iC iE i B (1 ) i E (1 )Electrones
iC i B
Amplificación
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Transistor bipolar BJT
Circuito simple ideal (Emisor Común)
Unión Base-Emisor polarizada directamente (VBE>VT). Unión Base-Colector polarizada inversamente. Fuente de corriente controlada por corriente.
iC iB B VBB E iE C RC
B
VCC
C
VBB
iB
iC iB
VCC
E
iC i BAmplificación
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Transistor bipolar BJT
Zonas de funcionamiento Zona Activa: Unión Base-Emisor polarizada directamente (VBE>VT). Unión BaseColector polarizada inversamente.
iB
B VBE
iC
C
iC i B
i E iC i B
Amplificación
iB
iE
Zona de Corte: Unión Base-Emisor polarizada inversamente. Base-Colector
polarizada...
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