Transistor Fet

TRANSISTOR FET
Abstract - Existen unos dispositivos que que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Introducción
El estudio de la electrónica continúa con el conocimiento de los transistores JFET. Para el caso de los transistores de efecto de campo más conocidos como JFET larelación entre las variables de entrada y salida es no lineal debido a la ecuación de Shockley.
Para el cálculo de éstos se usa el método matemático, además también se utiliza el método grafico el cual es el más utilizado.
Destacando que la ecuación mencionada anteriormente es la misma para todas las configuraciones de red del JFET siempre y cuando el dispositivo se encuentre en la región activa.La red define el nivel de corriente y voltaje asociado con el punto de operación mediante su propio conjunto de ecuaciones.
Este tipo de transistor se lo puede configurar de diferentes formas como son polarización con dos fuentes, auto polarización; con resistencia de source y sin ella, y polarización con dos fuentes. Además estos transistores FET existen de dos tipos que son de tipo n y p, queen su simbología se lo reconoce por el signo de la flecha.
Transistor FET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoriade los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristallíquido o LCD).

Ilustración [ 1 ].- Transistor FET

Características
* Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
* No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
* Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
* Es menos ruidoso.
* Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.

Estructura
La estructurafísica de un JFET (transistor de efecto campo de unión) consiste en un canal de semiconductor tipo n o p dependiendo del tipo de JFET, con contactos óhmicos (no rectificadores) en cada extremo, llamados FUENTE y DRENADOR. A los lados del canal existen dos regiones de material semiconductor de diferente tipo al canal, conectados entre sí, formando el terminal de PUERTA.
• En el caso del JFET decanal N, la unión puerta – canal, se encuentra polarizada en inversa, por lo que prácticamente no entra ninguna corriente a través del terminal de la puerta.
El JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la de canal n; siendo por tanto necesaria su polarización de puerta también inversa respecto al de canal n.
• Los JFET se utilizan preferiblemente a los MOSFET en circuitos discretos.
• Enel símbolo del dispositivo, la flecha indica el sentido de polarización directa de la unión pn.

Elementos
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor),
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo secomporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

Ilustración 2.- Elementos del transistor FET
Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P".
La ilustración 3 y 4 muestra  el croquis de un FET con canal N.
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Ilustración [ 3 ]
Ilustración [ 4 ]

La ilustración 5 y 6 muestra ...