transistor fet

EXPERIMENTO 1
CARACTERÍSTICAS V-I DEL FET

Objetivos:
1. Presentar las curvas características de un NMOS de enriquecimiento en el osciloscopio
2. Determinar la característica de transferenciade un NMOS de enriquecimiento por medición
3. Estimar la magnitud del voltaje de umbral.
4. Estimar el valor de Kn.
5. Determinar la magnitud de IDSS y Vp de un JFET canal N

Materiales
1-Osciloscopio de dos canales
1- MOSFET canal N de enriquecimiento 2N7000
1- JFET canal N
1- Amp-Op uA741
1- Generador de señales
Resistores: 100, 1k, 100k
1- Potenciómetro 10k
1- Fuente de PoderDC (dual)
1- Voltímetro digital
1- Voltímetro análogo (VOM)

Procedimiento

I. Obtención de los parámetros de funcionamiento de los transistores
a. Obtenga las especificaciones del fabricantedel NMOS y del JFET canal N indicados a través de sus hojas de datos.
b. Estime la magnitud de Vt y Kn y VA del MOSFET.
c. Estime la magnitud de IDSS y Vp del JFET.

II. Obtención de la curvacaracterística del NMOS
a. Calibre el generador de señales ajustando su offset a 5.0 V DC y seleccionando una onda sinusoidal con amplitud de 10Vp-p.
b. Conecte el generador de señales al circuitomostrado en la figura 1.




c. Calibre el osciloscopio y conéctelo como se muestra en la figura e invierta la señal del canal X.
d. Conecte el canal Y entre D y tierra real.
e. Conecte elcanal X entre la salida del Amp-Op y tierra real
f. Incremente la resistencia del potenciómetro y registre el valor de VG con el voltímetro. Grafique la característica de salida resultante para cadavalor de VGS.
g. Estime el valor de Vt, Kn y VA .























































III. Característica de transferencia delNMOS
a. Arme el circuito mostrado en la figura 2, con VDD = 0 y VGS = 0.



b. Ajuste el valor de VDD a 12V y anote la lectura del voltímetro DC
c. Ajuste VGS lentamente y observe la lectura en...