Transistor ujt

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TRANSISTOR UJT.
1. Introduccion

UJT
El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores, es undispositivo de disparo y  que consiste de una sola unión PN.

2. Objetivos.
2.1 Objetivo general: investigar que es un transistor UJT.
2.2 Objetivos específicos:
* Explicar el funcionamientode un transistor UJT.
* Dar algunas de las aplicaciones del transistor UJT.

3. Marco teorico
El transistor de unijuntura es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras.Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, elemisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.
Cuando el voltaje Veb1 sobrepasa unvalor vp de ruptura, el ujt presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltajeen el dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa, este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta region no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, paracircuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre estedisparo está dado por la fórmula: 
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1
Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La fórmula esaproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo.

Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1...
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