Transistores bipolares de union

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CAPÍTULO 3
TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN

3.1 INTRODUCCIÓN
Durante el periodo de 1904 a 1947, el tubo al vacío o bulbo fue, sin duda, el dispositivo electrónico de mayor interés y desarrollo. El diodo de tubo al vacío fue presentado por J. A. Fleming en 1904. Poco tiempo después, en 1906, Lee De Forest le añadió un tercer elemento al diodo al vacío, denominado rejilla de control, con loque se originó el primer amplificador; el tríodo. En los años siguientes, la radio y la televisión proporcionaron un gran estímulo a la industria de los bulbos. La producción creció, de cerca de un millón de bulbos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de los años treinta los tubos al vacío de cuatro y cinco elementos (tetrodo y pentodo, respectivamente) cobraron granimportancia en la industria de los bulbos. En los años siguientes, la industria se convirtió en una de las más importantes y se lograron rápidos avances en cuanto al diseño, a las técnicas de fabricación, a las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, y a la miniaturización.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrónica experimentó la llegada de un campocompletamente nuevo en el interés y en el desarrollo. En la tarde de ese día, Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron la acción de amplificación del primer transistor en los laboratorios Bell Telephone. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se presenta en la figura 3.1. Las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales sobre el bulbo se manifestaron deinmediato: era más pequeño y ligero, no tenía requerimientos

|[pic] |[pic] Coinventores del primer transistor en los |
|Figura 3.1 El primer transistor (Cortesía de los Laboratorios Bell Telephone).|laboratorios Bell: Dr. William Shockley |
||(sentado); Dr. John Bardeen (izquierda); Dr. |
| |Walter H. Brauain. (Cortesía de los archivos de |
| |AT&rT.) |
| |Dr.Shockley Nacido en Londres, Inglaterra en |
| |1910; PhD de Harvard en 1936 |
| |Dr. Bardeen Nacido en Madison, Wisconsin en |
| |1908;PhD de Princeton en 1936 |
| |Dr. Brattain Nacido en Amoy, China en 1902; |
| |PhD de la Universidad de Minnesota en 1928 |
| ||
| |Todos ellos compartieron el Premio Nobel en 1956 |
| |por esta contribución. |


de calentamiento o disipación de calor, tenía una construcción resistente y era máseficiente debido a que el mismo dispositivo absorbía menor potencia. Tenía una disponibilidad de uso inmediata ya que no requería de un periodo de calentamiento. Además se conseguían menores voltajes de operación. De la presentación anterior se puede deducir, que éste es el primer capítulo donde se aborda el análisis de dispositivos con tres o más terminales. El lector verá que todos los amplificadores...
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