Transistores bipolares y transistores de efecto de campo

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ESCUELA POLITÉCNICA SUPERIOR

LINARES
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TEMA 3:

Transistores Bipolares y Transistores de Efecto de Campo.

ALUMNO: Eduardo Expósito Espinosa

ESPECIALIDAD: RECURSOS ENERGÉTICOS

Asignatura: ELECTRÓNICA, INSTRUMENTACIÓN Y CONTROL

ÍNDICE

1. Introducciónal transistor.

2. Transistores de unión bipolar (BJT)

1. El transistor sin polarizar
2. El transistor polarizado
3. Corrientes en un transistor
4. Tipos de transistores

1. De baja potencia
2. De potencia

5. Curvas características y modos de operación

1. De entrada
2. De salida

6. Potencia disipada por el transistor
7. Bandasde energía
8. Circuitos con transistores de unión bipolar (BJT)

3. Transistores de efecto de campo (FET)

3.1. Introducción
3.2. Transistor JFET

3.2.1. Simbología
3.2.2. Modos de operación
3.2.3. Curvas características
3.2.4. Circuitos con transistores JFET

3. Transistor MOSFET

1. Simbología2. Modos de operación
3. Curvas características
4. Circuitos con transistores MOSFET

4. Bibliografía

1. Introducción al transistor

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia detransferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.Sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956.

2. Transistores de unión bipolar (BJT)

2.1. El transistor sin polarizar

El transistor estacompuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura:

[pic]

La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el "Emisor". El Emisor está muy impurificado, la Base tiene una impurificación muy baja, mientras que el Colector posee una impurificación intermedia.
En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo npn, aunque también podría ser unpnp.

Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso).

[pic]

Vamosa hacer un estudio del transistor npn, primeramente cuando está sin polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se produce una "Difusión" (como un gas en una botella), donde los electrones cruzan de la zona n a la zona p, se difunden, encuentran un hueco y se recombinan. Esto hace que en las uniones entre las zonas n y p se creen iones positivos y negativos.

[pic]

Esta difusión yrecombinación se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera de potencial de 0,7 V (para el Si). Se crean 2 z.c.e., una en la unión E-B (W[pic]) y otra en la unión C-B.

2.2. El transistor polarizado

Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen nuevos resultados. Hay tres configuraciones:

• Base común (BC)
• Emisor común (EC)
•...
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