Transistores Y Diristores

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE ORIZABA ELECTRÓNICA.

2ª UNIDAD. TRANSISTORES BJT, FET y MOSFET.

E L T R A N S I S T O R

El 23 de Diciembre de 1947, la industria de la electrónica experimentó la llegada de un campo completamente nuevo en el interés y en el desarrollo tecnológico. En la tarde deese día, un equipo de científicos de la Bell Telephone Laboratories; Walter H Brattain, John Bardeen y William Schochley demostraron la acción de amplificación del primer transistor. Cada uno recibió el premio Nobel en 1956. Se acepta que el transistor es la invención más significativa del siglo veinte.

Las ventajas de este dispositivo electrónico de estado sólido de tres terminales sobre supredecesor el bulbo se manifestaron de inmediato: era más pequeño y ligero, no tenia requerimientos de calentamiento o disipación de calor, tenía una construcción resistente y era más eficiente debido a que el mismo dispositivo absorbía menos potencia. Tenía una disponibilidad de uso inmediato ya que no requería de un periodo de calentamiento. Además se conseguían menor voltaje deoperación.

Todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el voltaje, la corriente o el nivel de potencia) tienen por lo menos tres terminales, donde una controla el flujo de corriente entre las otras dos terminales.

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, lo podemos considerar como un arreglo de dos diodos unidos ya sea por su parte P o por su parte N como semuestra en la siguiente figura.

Transistor PNP Transistor NPN

Fig. No.1.- Representación de los dos tipos de transistores bipolares PNP y NPN

Ing. Miguel Santamaría M. Página No.- 1

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Al considerar este tipo de arreglo se observa que se pueden construir dos tipos de transistores uno en el que están unidos los dos diodos por su parte N, da como resultado un transistor denominado PNP. La otra condición en el caso de que los dos diodos están unidos por su parte P, seobtiene el transistor NPN.

A este tipo de transistor por la forma en que se fabrican y debido a que maneja los dos materiales, el tipo N y el tipo P en el mismo encapsulado se denomina Transistor Bipolar de Unión. (BJT) Consiste en tres capas de tipos alternativos de materiales semiconductores. Esto da como resultado dos tipos de transistores, el tipo NPN y el tipo PNP, que se muestran gráficamenteen la siguiente figura.

Fig. No. 2.- Representación de los símbolos y foto interna del transistor bipolar.

Las tres terminales del transistor reciben el nombre de Colector, Base y Emisor, (C,B,E), aunque parecen ser iguales los materiales del Emisor y el Colector, existe una pequeña diferencia en cuanto al dopaje del material semiconductor que lo hace diferente uno de otro.

Obsérvese queesa construcción en sanwich crea dos uniones P-N, una entre el emisor y la base y la otra entre el colector y la base. Para que el transistor funciones adecuadamente, la unión del emisor a la base se debe polarizar en sentido directo, mientras que la unión del colector a la base se debe polarizar en sentido inverso. Se utiliza el término polarización para indicar para indicar losvoltajes de corriente directa aplicados a los elementos y el flujo resultante de corriente directa. Obsérvese que la única distinción entre el transistor tipo NPN y el PNP es la dirección de la flecha en el emisor.

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Si consideramos que esta flecha...