Transistores

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LABORATORIO POLARIZACION FIJA DE TRANSISTORES BJT

1. OBJETIVOS GENERALES
2. OBJETIVOS ESPECIFICOS
3. METODOLOGIA
4. RECURSOS
5. MARCO TEORICO
6. EJERCICIOS
7. GLOSARIO
8. BIBLIOGRAFIA

LABORATORIO POLARIZACION FIJA DE TRANSISTORES BJT

OBJETIVOS GENERAL:
1. Identificar los tipos de transistores y realizar los respectivos cálculos para calculas losvalores de resistencias y Beta

OBJETIVOS ESPECIFICOS:
1. Analizar los distintos valores de salidas de los circuitos que se pueden elaborar
2. Medir los distintos circuitos propuesto a través de las distintas leyes (OHM,LIK,LVK), según aplique
3. Identificar los terminales de los transistores
4. analizar las respectivas valores prácticos contra lo teoricos que nos suministrenlos circuitos

LABORATORIO POLARIZACION FIJA DE TRANSISTORES BJT

METODOLOGIA
Realizar el análisis del circuito indicado plasmándolo físicamente en la protoboard para identificar u observar el comportamiento de los transistores que se esta utilizando, hallando las distintas soluciones y respuestas al problema expuesto, hallando cada uno de los valores sobre cada elemento que se involucre enel circuito



LABORATORIO POLARIZACION FIJA DE TRANSISTORES BJT
TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los artefactosdomésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Tipos de transistor
Transistor de punta de contacto
Fue el primertransistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícilde fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio oArseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P deaceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipoy de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión....
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