Transistores

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TRANSISTORES FET e IGBT

1

1. 2.

Transistores de Efecto de Campo de Unión (FET) Transistores de Efecto de Campo de Puerta Aislada

2.1. MOSFET de Enriquecimiento 2.2. MOSFET deEmpobrecimiento
3. Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT)

UNIVERSIDAD DE OVIEDO

ÁREA DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

TRANSISTORES FET e IGBT

2

1. Transistores de Efecto de Campo de Unión (JFET)Dos tipos: Canal N y canal P
iG
DRENADOR

iD

iG

DRENADOR

iD

D

D

uGS

G PUERTA

S FUENTE

uDS

uGS

G PUERTA

S FUENTE

uDS

CANAL N

CANAL P

Estructurainterna del JFET de canal N:
Drenador (Drain) Zona de Transición

D

iD

iD(mA)
5 4

Puerta al aire

uGS(V)
0

N-

Puerta (Gate)

VDS P+ P+

-1.0 -2.0 -3.0 -4.0 2 4 6 8
F

3 2 1

GVGS

10

S

Fuente (Source)

uP

uDS(V)

Con GS polarizada inversamente, al aumentar VDS se tienen dos efectos contrapuestos: La corriente de drenador tiende a aumentar debido alaumento de tensión VDS Al aumentar VDS también se polariza más inversamente la unión PN de puerta, aumentando la zona de transición y disminuyendo la anchura del canal. La resistencia del canal aumenta. Lacorriente tiende a disminuir La corriente de puerta equivale a la corriente inversa de saturación de una unión PN polarizada inversamente. Por tanto la puerta es prácticamente un circuito abierto. Endefinitiva, se controla la corriente de drenador por medio de la tensión de puerta: VGS

UNIVERSIDAD DE OVIEDO

ÁREA DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

TRANSISTORES FET e IGBT

3

Transistor JFETde CANAL N
iD(mA)
5 4

uDScont =| uGS-uGSoff |
A

uGS(V)
0
A

iD(mA) IDss

IDss

3 2 1

B C D E

-1.0
B

-2.0 -3.0 -4.0 10

C

uGS < uGSoff
F

D E

2

4

6

8

FuDS(V)

uGSoff

uGS(V)

uP≈ uGSoff

Zona de Corte
iG=0 iD=0 Condiciones: uGS>uGSoff, uDS>0

uGS

uDS

El transistor se comporta como un circuito abierto Zona Activa
iG=0 iD...
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